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MOS-FET 周波数による増幅特性についての質問です。
入力、出力電圧を一定にした状態で周波数を100~1000kHzまで上げていき、400kHzにした所から増幅が小さくなっていきました。 調べていくとにゲートドレイン間の空乏層がコンデンサの働きをして、低周波数では抵抗の働きを高周波数ではコンデンサのように電流を流したという考えに到りました。 ここで疑問に思ったのが 「なぜ空乏層はコンデンサのようになるのか」 「なぜ抵抗のように働くと出力/入力が(増幅)が安定するのか」 「なぜ電流が流れるこで出力が低下するのか」です。 この疑問の回答お願いします。
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お礼
0.1μF |―D――――――・――――・ ・――∥――・―G|―S¬ | | | | | Rl Vout出力 Vin ~ Rg Rs Vdd電源 | | | | | | ・―――――・―――――・―――――・――――・
補足
回答ありがとうございます。 図を描いて質問した方が良かったと今反省しています。 今分かったところで ・コンデンサのリアクタンス(擬似的な抵抗)は低周波で大きくなり、高周波で小さくなる。 ・高周波ほど負帰還電圧が多くなり増幅率が小さくなる。 ・低周波では負帰還電圧が少なくなり増幅率がFETのもののままでいる。 というところです。ミラー効果について調べてみたのですが、 http://www-nh.scphys.kyoto-u.ac.jp/~enyo/kougi/elec/node40.html を読んでもいまいち分かりません。 図描きます。 0.1μF |―D――――――・――――・ ・――∥――・―G|―S¬ | | | | | Rl Vout出力 Vin ~ Rg Rs Vdd電源 | | | | | | ・―――――・―――――・―――――・――――・ 最初の 「ゲートドレイン間の空乏層~」の考えも合っているのかお願いします。