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トランジスタのVBEとVBE(sat)について

トランジスタの特性で、ベース・エミッタ電圧VBEとベース・エミッタ飽和電圧VBE(sat)がありますが、この違いは何でしょうか? ご存知の方、お教え下さい。

みんなの回答

回答No.2

トランジスタとは少し違いますが、IGBTでの内容から回答します。 Vbe:ゲートオフの状態での素子破壊耐圧 Vbe(sat):ゲート変化状態での飽和電圧      (オン状態での損失評価の代用) http://phototrekzero.in/ytk/php/pwebboard/images/file1220525679.pdf (現在、学習中の資料とのことですが比較的まとまっています。 参考までに載せておきます。 IGBTなのでベースをコレクタと読み替えてください)     

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  • fusem23
  • ベストアンサー率18% (72/383)
回答No.1

一般人ですので、あくまでも想像です。 飽和電圧VBE(sat)は、飽和状態にあるときのベース・エミッタ電圧ではないでしょうか。

参考URL:
http://www.necel.com/ja/faq/f_tr.html
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このQ&Aのポイント
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