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MOS構造の反転状態について、と半導体について。
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(1)MOS構造の反転状態を決めるゲート電圧は基盤の不純物濃度には依存しないのでしょうか？ 回答：MOS構造の反転状態を決めるゲート電圧は2つの条件で決まります。 1つ目は、金属と半導体間の酸化物層の厚み、2つ目は半導体の導電率 ということで電圧は基盤の不純物濃度に依存します。 (2) 半導体に光を当てると電流が流れるようになるが、これは光の波長には関係しないのでしょうか？ 回答：関係します。 光のエネルギーEは,E=ｈf ここでｈはプランク定数、ｆは振動数です。振動数ｆ×波長λ＝光の速度C ですからE＝Cｈ/λ になります。光（光子）1個が半導体にあたりますと、半導体表面から電子が飛び出てきます、そのときの電子のエネルギーは、光子1個分のエネルギーE=ｈf と同じです。ということで、結果的に電子の量は光の振動数ｆ＝C/λ に比例します。 だから取り出される電流量は、波長に反比例するのです。 概略ですが
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分かりやすい回答でありがとうございます。次回もよろしくお願いします。