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理想ダイオード因子について
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推測ですが、 単純な理論ではダイオードの電流電圧の式はI=Is ( exp (qV/kt) -1 )です。 しかし実際のダイオードはI=Is ( exp (qV/nkt) -1 ) のような感じです。 で、nが1に近いほど単純理論に近いわけで、 単純理論の通り振る舞うのを理想ダイオードと仮にすると、nは理想ダイオードにどれだけ近いかの指標と言うことになります。そういう意味ではないかと推測。 (ご質問のnが上の式のような場所に使っているのかどうかわかりませんが。。。)
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- leo-ultra
- ベストアンサー率45% (228/501)
特に性能が悪いダイオードでnが1からずれるのではなく、そこそこいいのダイオードでも電圧によりnが変化すると読んだような。 確か順方向バイアスで電圧をゼロから増やしていくと、(1)再結合電流領域(n~2)、(2)拡散電流領域(n~1)、(3)高注入領域(n~2)、(4)直列抵抗効果が無視できなくなる(電流が電圧の指数関数に比例する関係が成立しなくなり、nが定義できなくなる。)S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices 上記の本に物理的な説明があります。
- ymmasayan
- ベストアンサー率30% (2593/8599)
理想ダイオードとは正方向では銅線(抵抗0)、逆方向では断線と等価なものだと思いますが。 因子と言うのは素子と言う意味か数学的意味なのかわかりませんが。 物理的な意味は完全導体と完全絶縁体かと。
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