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FETによるスイッチングについて幾つか
Teleskopeの回答
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昼に拝見して2SK2030のdatasheet探してみたんですが無いようですね、スレッショルド電圧 Vt と yfs(通称gm) がお分かりなら知りたいところです、 というか 交換して試されたのが今風なパワMOSだとすれば Id=2A は問題ない、Vtが昔風に大きめで3Vだとして、2Vで2A →所要yfs≒１S以上、Ron<<巻線抵抗などは確認済みですよね。 で、 ラッチングSVは普通単巻線ですよね？とすればリセット回路は？（手動や別機構でプランジャを戻してるのでしょうか。） 私は普通いわゆるＨ型駆動をします；MOSが4個、フリーホイールダイオードはMOSに頼らず外付けしてます。 ─┬──┬─ ＋Vs Q1 Q2 ｜ ｜ ├ LSV┤ │ │ Q3 Q4 │ │ ┷ ┷ SVが5Volt品ですか。テスターで巻線のDC抵抗を測って 5V÷その抵抗値 > 2アンペア は間違いないんですよね。 気になったのは なんで「ソース駆動」を訊ねてるかなんです、上図でQ1Q2（ハイサイド）が NMOS だと ON 時の Vds は大きいですよ。Bipolarのエミフォロとかなり違います。Lowsideを色々交換しても変わらない事からこれが気になりました。PMOSと反転ドライバ。 「 Lowsideのを並列駆動を試み 」の件、ドレインの電圧波形が十分低くなってないとの測定結果ゆえでしょうか。もし十分に低くONしてるなら原因は別かも。 インダクタンスをステップ電圧駆動すれば電流はrampですが、まさかON時間が短すぎてるわけではないですよね。電流波形をオシロで観測して exp 的波形が十分平坦になってるのでしょうか。 パルス幅が数十msecなら 同系列のゲートドライバを使ってる経験から 駆動電圧の立上がりは問題ないと思います。ゲートを充放電するに足る静電容量の電源パスコンはお忘れなくですが。 ゲートドライバの Vss や Vdd は被駆動FETのそれと一心同体の密着が基本です。そのための photo 結合ですし。
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