- みんなの回答 （2）
- 専門家の回答
質問者が選んだベストアンサー
バイポーラトランジスタのデータシートにはON抵抗と言う項目は無いのでMOSFET（MOSトランジスタ）のことですね。 MOSFETにはVds(ドレイン‐ソース間電圧）が変化しても Id（ドレイン電流）がほとんど変化しない領域と、VdsとIdが比例関係になる領域があります。 前者を飽和領域、後者を線形領域と呼んで区別しています。 ON抵抗とは線形領域での関係を示すもので、Ron＝Vds/Idで表されます。 こちらを参考に http://fhirose.yz.yamagata-u.ac.jp/text/mos6.pdf ＞ON抵抗が一定でない理由を教えて下さい 次のような答えがあります。 １．Vgs（ゲートソース間電圧）によって変化します。 ２．温度が変化するとON抵抗が変化します。 ３。同じ型名のMOSFETでも個々のON抵抗には違いがあります。
その他の回答 (1)
- toiawasedesuyo
- ベストアンサー率15% (729/4686)
５５歳 男性 トランジスタの構造はPNP 又はＮＰＮです つまりダイオードを二つつないだ構造になります ＰＮ接合部は０．６Ｖの電圧降下があるのを知ってますか？ これが所謂ＯＮ抵抗になり発熱の原因です ＯＮ抵抗が一定で無い → スイッチング動作なら一定ですがアナログ的な使い方を すると温度の影響でＯＮ抵抗が変わる → 動作点が変わる事を言います 安定にするにはベースに温度変化に対応したバイアスをかける必要があります
関連するQ&A
- トランジスタバイアス抵抗について
トランジスタをスイッチとして使用する時にバイアス抵抗が 必要である理由をネット検索したところ ベース抵抗が断線したときや、ベース抵抗の値が 非常に大きいときにおいて、外来ノイズによりトランジスタ がON してしまう可能性があるためこれを防止するために挿入すると ありました。 しかしながら外来ノイズによりどのようにONしてしまうのかが 分かりません。 また、外来ノイズとは放射ノイズなのか電源からのノイズなのかについても 分かりません。 ご教授よろしくお願いします。
- 締切済み
- 電子部品・基板部品
- トランジスタのエミッタ抵抗
こんばんは。 電気回路を勉強している初心者です。 トランジスタのエミッタ抵抗について教えてください。 エミッタ接地回路でエミッタ側に抵抗を入れると、温度特性などでトランジスタの増幅率が変わっても、実際に出力される増幅が一定に安定すると本に書いてあるのですが、理由がよくわかりません。 ネットやこのサイトでも調べてみましたがわかりません。 よろしければ教えてください。よろしくお願いします。
- ベストアンサー
- 物理学
- トランジスタをつかって電圧電源をオンオフしたい。
学校のプロジェクトで、電源をつかってコンデンサ(１ｍF)を充電させ、一定の電圧まで充電されたときに放電させ、負荷抵抗に電流が流れるような回路を作っています。一定の電圧まで充電されたときに負荷抵抗と並列に接続させたNPNトランジスタのスイッチがオンになり、放電することの出来る状態にさせるところまではできました。しかし、放電している間、電源とコンデンサをどう切り離せばいいのかが分からなくて困っています。（放電させたい時に電源がつながったままでは放電しない為） もう一つのNPNトランジスタをつかって電源とコンデンサ間の抵抗を大きくできれば電気的に切り離せるかと思い、いろいろ試してみましたがうまくいきませんでした。 ご教示お願いいたします。
- ベストアンサー
- 物理学
- トランジスタとFETについて
トランジスタとFETについて それぞれの出力(Vo）は トランジスタ：ONしたときVOは+5VからB-E間の電圧降下により約4.3V FET：RDS（ON抵抗）に流した電流分、電圧降下するので+5V-RDS×電流 この考えでよろしいのでしょうか？
- ベストアンサー
- その他([技術者向] コンピューター)
- NPNトランジスタの飽和について
NPNトランジスタの飽和について質問ですが、 NPNトランジスタ、ベース抵抗、エミッタ抵抗、各電源があり、 電圧印加し、トランジスタがＯＮした時のベース電圧を計算より、 算出したいのですが、算出可能でしょうか？ Vceが飽和しているとき、そうでないときがあり、算出できないと 考えていますが、正しいでしょうか？ また、どういった場面で飽和させるとき、そうでないときの使い分けるのでしょうか？ 知識、経験のあるかた、ご教授ください。
- ベストアンサー
- 物理学
- フォトトランジスタの出力について
現在、フォトトランジスタ出力をマイコンに入力することを考えています。 フォトトランジスタがONの時に入力ポートで'L'にしたいと考えています。 自分なりに試行錯誤して、 ・フォトトラのカソードを電源に、エミッタを抵抗を介して接地 ・フォトトラのエミッタ出力をNPNトランジスタ（2N2222）のベースに入力し エミッタ接地、コレクタは抵抗を介して電源に接続 とすれば、トランジスタのコレクタ出力が所望の動作になりました。 しかし、信号がちょっと安定しないようです。 フォトトラはONしていない（はず）時に、コレクタ出力が'L'になったりします。 ひどい時は'L'になりっぱなしになったりします。 文章だけでは分かりにくいかもしれませんが どうか、詳しい方にご教授頂ければと思います。 宜しくお願いいたします。
- ベストアンサー
- 電気設計
- ■ トランジスタを用いた電流の流れ方について ■
画像の回路にあることで質問があります。 （１）可変抵抗器が0Ω時、計算上、トランジスタのベース・エミッタ間の電圧降下を0.6Vと仮定すると163uAがトランジスタのベースに流れるのですが、全て流れない理由が分かりません。 一部は、可変抵抗器に流れるようですが、計算すると6uAだそうで計算上は157uAがベースに流れるようです。6uAは、どう計算したら算出できたのか分かりません。 （２）トランジスタの電流増幅率を200と仮定した場合、最大で31.4mAがコレクタ・エミッタ間に流れる計算ですが、コレクタの上にある220Ωの抵抗器による絞られた電流は考慮しないのでしょうか？ ご解説いただける方、よろしくお願いいたします。
- ベストアンサー
- 電気・電子工学
- バイポーラトランジスタの静特性について
バイポーラトランジスタ(2SC1815)をエミッタ接地し、B,C方向が正となるように直流電源を接続し、電圧電流特性(VCE-IC特性,VBE-IB特性)を測定しました（1,Vceを一定(0,2,5[V])にしてIbを変化させVbeを測定する。2,Ibを一定(10,20,30[uA])にして(Vceを変化させIcを測定する）。 そして、(1)このトランジスタのhパラメータを求めよ、(2)このエミッタ接地のトランジスタの等価回路を求めよ、と言われました。(1)において、hパラメータについては理解しているつもりです。しかし、測定したデータから、hパラメータの要素である入力抵抗、出力抵抗、電圧利得、電流利得をどのようにもとめたらよいのか分かりませんでした。(2)において、バイポーラトランジスタの直流等価回路の回路図と、α（電流増幅率）は分かったのですが、rb（ベース抵抗）をどのように求めたらよいのか分かりませんでした。 参考書やネットを駆使して答えを導き出そうとしましたが、まったくありえない値になってしまったりしています。基本的なこととは思いますが、教えていただきたく思います。よろしくお願いします。
- ベストアンサー
- 物理学
- フォトトランジスタについて
フォトトランジスタと抵抗(100オーム)を直列につなぎ、光をあててみたところ、フォトトランジスタ間には電圧が生じます。(電源電圧10V、電流1A） これはどうしてでしょうか？ あるサイトでは、フォトトランジスタは光があたることで、電気が流れると書かれており、あるサイトではフォトトランジスタは光が当たることで抵抗が変化すると書かれておりました。 前者の場合、仮にフォトトランジスタ流れた電流を0.5Aとすると、全体の電流は1.5Aになります。こうなると抵抗にかかる電圧は15Vととなり電源電圧と異なりよくわからなくなってしまいます。 後者ならば計算をしてみても納得できます。 実際にはどちらが正しいのでしょうか？
- 締切済み
- 物理学
