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FETのON抵抗に関する質問
delli7の回答
１．あなたと友人がどんな使い方をしているのかわからないのですが、 JFETやゲートに保護素子の入ったFETでは、リーク電流がMOSFETに比べて多いので、 ゲートを５Vに２MΩでつなぐより、１MΩでつなぐ方がON抵抗がへるかもしれません。 でも、そんな使い方してるんですか？ ５Ωとか１０Ωでは差なんか見えません。 ２．FETのスイッチング速度が上がりますから、その間の時間、つまり５V未満の時間は 抵抗が大きいわけで、あなたの友人はそのことを言っているのかも知れません。 スイッチング周波数を高くしていくと、この時間はだんだん無視できなくなってきます。 実際のDC/DCコンバータなどでもこうした事は設計者は考慮します。
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なるほど、確かに。その時間の間はON抵抗が高いですね！そういうことを言いたかったのかもしれません。 あと、すみません、MOSFETの話でした。書き忘れていて申し訳ないです。