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変化する磁界から電子が受ける力

yokkun831の回答

  • yokkun831
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回答No.1

 0.1T/μs というのは,磁場の変化率としては相当大きなものでは ないでしょうか。したがって,785Vは妥当な値であるように 思うのですが。  また,「リング状銅線はその囲む磁束の総変化量が同じなら…」 という点ですが,全くそのとおりです。でも,ひとまず0.1T/μs で変化する一様な磁場を考えられたのではないのですか? もしそうであるなら,磁束は誘導起電力E(「電界」は誤りです) の計算にもあるように磁束密度かける面積ですから,もちろん 面積に関係します。するとEを周長2πrで割ってやれば,単位長 当たりの起電力すなわち電界強度が得られることになると思います。

pai3_14
質問者

お礼

アドバイスありがとうございます。 確かに 0.1T=1000ガウスというのはちょっとしたマグネットと同じですので1μsでそれを磁束の影響範囲から動かすエネルギーと考えればかなりなエネルギーですね。 2番目の問題は、仮定として一様ではなく、ある断面積だけ一定の磁束密度の円柱があって、その周囲に磁束密度0の空間をとってコイルの半径を大きくしていった場合を考えていたのですが、その場合でも1個の電子が受ける力は変わるんでしょうが周長が変わる分影響を受ける電子が多くなるのでエネルギーとしては同じで、起電力は変わらないのかなと、今気づきました。 で、素直に785Vを 0.314mで割って電子の電荷をかけると 約 -4 x 10^-16 (N)となりました。 これで合っているんでしょうか?

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