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PN接合について
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>順方向で電流を流した場合、再結合というのはすべて接合>部付近で起きていると考えてよいのでしょうか? その通りです。印加電圧分だけ電位障壁が下がって、n型P型間の電子正孔の移動が可能になり電流が流れます。(順方向)接合部付近で起こるのは自明ですが、一応、直接遷移型半導体のpn接合では接合境界付近のp型層内で伝導帯に注入された電子が多数キャリアである荷電子帯の正孔と、正孔についても同じです。これを利用して効率よく発光させた素子が発光ダイオードです。 >それからダイオードと発光ダイオードは何が違うのでしょ>うか? ダイオードについては「逆バイアス」をかけた時のことを考えていただければ利用法などわかると思います。逆バイアスをかけると電位障壁が大きくなり、逆に流れなくなりますね。要するに電流に整流性をもたらす素子という意味合いが強いと思います。(めちゃくちゃ強い逆バイアスの場合は、トンネリングで流れちゃうんですが、「ツェナーダイオード」) 個人的には「バンドベンディング」について調べると吉かなと思います。
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