• ベストアンサー
※ ChatGPTを利用し、要約された質問です(原文:半導体って?)

半導体って何?

okwakitigaiの回答

回答No.5

>インクの金属部分は半導体かそうでないかとその理由を教えてください。 それって(プリンタとの)接点であって半導体でもICでもないよ。

takky315
質問者

お礼

ご回答ありがとうございます。 え~、どうしましょう。 単なるPC愛好者なので、これ以上は細かくなってもしょうがないのですが、 昨日までに積み上げた 金属部分→中にICチップ→その中にコア(ここが半導体)というイメージが ガタガタとくずれかけてます。(笑) >それって(プリンタとの)接点であって半導体でもICでもないよ。 確かにそうかもしれません… これはどうでしょう? 接点の金属部分→その奧にICチップ→コア(半導体) この場をお借りして、 いろんな方向で「半導体」を考えることができ、 はじめの質問の内容をなんとか自分なりに納得でき、友人に伝えられそうです。 ご回答くださいました皆さまに今一度お礼申し上げます。

関連するQ&A

  • 半導体について

    半導体を知らない人に半導体の基本と役割を口頭で簡単に説明する場合、どのように説明すれば良いでしょうか? 友人に「どういう勉強してるの?」と聞かれ、「半導体」って答えると、必ず半導体って何?って聞かれます。このパターンが多々あり、勉強し始めの私は毎回困ります。 まだこんなことしか分かっていません。 ↓↓↓ 物質には電気を通す導体と電気を通さない絶縁体があるが、半導体はその中間に属していて..... シリコンでできている半導体にPやAlをドープするとn型、P型半導体になり....pn接合に電圧を加えて、電子が流れることで電流が流れる。  電気を通すことも通さないこともできるので便利。 上記のようにまるでまとまってません。導体や絶縁体よりも何が優れていて、半導体によって何が実現したのかを説明したいです。 勉強始めたばかりで、まだよく理解できていないのでどうか回答よろしくお願いします。

  • 半導体と半金属の違いは?

    こんばんは。 「半導体と半金属の違いは何か?」 わかる方教えて下さい。 半導体は他の半導体や金属と接合したりすると条件によって電気を通すようですが、半金属は違うのでしょうか? 専門知識が無いので出来れば簡単に説明をお願いしたいです。 よろしくお願いします。

  • 半導体の電熱効果について

    お世話になります。 標記の電熱効果の説明についてなのですが、 ある図書では、2種類の金属の両巻を接触して回路を作り・・・」とあり図においても熱電対のような記載があります。 また、ある図書では、N形半導体を例として、N形半導体の両端に温度差を設けると・・・・」とあり、図に於いてもこの半導体の両端に金属電極を設け回路を作製しております。 また、ある図書では2種類の異なる金属又は半導体を組み合わせて」とあるのですが、図では2つの説明の図と同様に半導体の両端に金属電極を設けた回路になっております。 疑問としましては、半導体の電熱効果の説明としては、どれが正しいのでしょうか。また、金属の場合は2種類のことなる金属が必要ということはわかっているのですが、半導体の場合例えばN形だけでも熱電効果を有しているのかどうか。単独で可能なのであれば、2種類の異なる半導体を組み合わせてという説明はどういう意味で記載されているのでしょうか。 細かな内容になりますが宜しくお願いいたします。

  • 半導体測定子ボディーについて

    新聞記事に、「半導体測定子ボディー」という言葉が記載されていました。記事によると、「半導体測定子ボディーは、半導体パッケージの測定を行うための測定子とスプリングを格納する微小の金属の筒」と説明されていましたが、ピンときません。 どなたかどのような製品かご教授願います。

  • 物理 金属と半導体における抵抗の温度依存性について

    物理 金属と半導体における抵抗の温度依存性について 金属と半導体における抵抗の温度依存性を図で示して、そのような特性を示す理由を書けとテストで 問題が出たのですが、 金属は温度が上昇すると抵抗も上がり 半導体は導体と絶縁体の中間の特性を持ってますが、半導体は図で表すと温度依存性は横一線になるのでしょうか? よく分からず、テストに書けませんでした。 頭の中でスッキリしないので、回答お願いします。 また、温度特性図とは横軸が温度、縦軸が抵抗値のグラフですか?

  • 導体内の電界について

    物理で導体(金属)の内部の電界は0になるということを教わりました。 どんな強さの電界内にあっても自由電子が導体の内部を動いてプラスとマイナスに帯電し、電界が打ち消しあって0になるというような説明だったのですが、自由電子がすべて完全に移動し終えてしまったら(微小な金属片を使って、電界を無限大に強くしたら)、導体内にも電界ができるんじゃないでしょうか。それでもやはり電界が0であるなら、(極端にいうと、電子一個と陽子一個によって作られる電界の強さと、電子100個と陽子100個によって作られる電界の最大の強さが同じなら)、電界の強さは何で決まるものなのでしょうか。今日習ったばかりであまり理解できていませんがよろしくお願いします。

  • 半導体のチップクラック要因について教えてください。

    現在半導体の不具合解析を行っています。お客さんの工程内で不具合が発見され(出力異常として)解析しました。結果、ICチップにクラックが入っていることがわかり、これが原因で出力異常となっていることが判明しました。しかし外部のパッケージには外傷はまったくなく、内部のチップのみクラックが入っています。 お客さん工程内での機械的なオーバーストレスが原因だろうとの見解をだしましたが、お客様からはチップクラックが入るようなオーバーストレスがかかる工程はないとのこと。チップクラックが入る応力としては500N近くの応力が必要なのですが、このような力は入る工程がないからです。しかし再現実験を試みたいたいとの意向があり、再現方法についてアドバイスを求められています。 このような現象(パッケージに外傷なし、チップのみクラックあり)に いたるメカニズムや要因や可能性として考えられる工程などアドバイスいただけないでしょか?

  • 【緊急】半導体に関する課題

    大学で出された半導体に関するレポート問題がわからなくて困っています。分かる人がいらっしゃったら是非教えてもらえないでしょうか。 以下課題内容 1.半導体の特徴は不純物の導入によってその抵抗が大きく変化することと、温度依存性が金属等とは異なる振る舞いを示すことである。図(添付画像)に示すようなp型の半導体(Eg=2 eV、Ea=0.2 eV、Na=10^20 m^-3)における温度依存性において、 1)フェルミ準位の振る舞いと 2)正孔濃度の振る舞いについて、 a)真性領域 b)枯渇領域 c)不純物領域 に分け、各々の領域におけるバンド図を示しながら説明せよ。 2.シリコンのp-n結合において、ドナー濃度をNd、アクセプタ濃度をNa、真性半導体の濃度をni、ボルツマン定数をk、温度をTとするとき、接合して平衡状態になったときのバンド図を示し、発生する内部電圧を表す式を導出せよ。次に、p-n接合に順バイアスと逆バイアスを印加したときのバンド図を示して、ダイオードが整流特性を示す理由を説明せよ。

  • 半導体「ダイオード」のキャリアについて

    今色々な本やインターネットでダイオードのキャリアについて調べているのですが。 説明が分かりにくいのでどなたか分かりやすく説明してもらえないでしょうか?? 今調べて出てきたのが・・・ 自由電子や自由ホールのことをキャリアという。 キャリアというのは運び屋というような意味で電気を運ぶという意味でそういう名が付いている。 n型半導体のキャリアである自由電子とp型半導体のキャリアである自由ホールがくっついた部分で合体する。するとそこには何もなくなる。 というような内容が書かれているのですがよく理解できません。

  • 半導体製造工程のダイシングについて

    半導体製造工程でウェハーを切断する時にダイシングしますが、この時にウェハーを固定しているUVテープは切断されてしまうのですか?それとも、ウェハーとUVテープの境目で切断しているのですか? ダイシングの後にUVテープを広げて、ICチップを取りやすくすると思うのですが、ウェハーが切断されていないと、UVテープを広げても、チップは広がらないと思うし、かと言って、ウェハーとテープの境目で切断するのも、かなり厳しいかと素人考えで思ってしまいます。 どなたか、教えて下さい。