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半導体増幅器のノイズ整合とインピーダンス整合の差について

半導体アンプを設計するときノイズ整合条件があるというのを知りました。今までインピーダンス整合しか知らなかったのでその差の意味が良く理解できません。なぜアンテナで受け取った受信電力を効率よくアンプに投入するインピーダンス整合条件と受信機の感度を表すノイズフィギュア (NF)を最適化する条件が異なるのか教えて頂けませんでしょうか。よろしくおねがいします。

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  • 回答No.2

#1 のymmasayan です。補足です。 ノイズ整合はNFを最良にしようというものであることは確かですが、高周波回路の段間結合部分をインピーダンス整合させるだけでなく、更に進んで、 (1)結合(整合)回路で発生する雑音を防ぐ(歪みの発生防止) (2)結合(整合)回路で雑音を低下させる(フィルター効果) 等の事も含んでいるようです。 インピーダンス整合については、線路における反射を防ぐという目的と、段間のエネルギー伝達を最大効率にする目的の2つがありますが、後者を書き漏らしました。すみません。 高周波回路のNFの改善について下記URLで若干解説されています。ご参考までに。

参考URL:
http://www.sony.co.jp/Products/SC-HP/N_Techno/MMIC/G1034-j.html

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  • 回答No.1

インピーダンス整合はご存じという前提で説明します。 結論的には2つは全く無関係です。 ノイズ整合条件というのは、増幅器のSN比(NF)を最大化するための設計条件です。 初段にローノイズのFETを使用するとか、温度を下げるとか、・・・。 単にアンテナと同軸ケーブルと本体の間に電波の反射を発生させないためのインピーダンス整合とは別物です。

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