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MOS型電界効果トランジスタ
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MOSの特徴としてゲートのインピーダンスが非常に大きい電圧増幅素子であるということです。一方PNPやNPNなどのトランジスターではベースのインピーダンスは、それに比べて相当低い電流増幅素子です。素子自体の特性が相当異なりますし、myeyesonlyさんが指摘されて良いるようにバイアスの与え方も異なります。出力段のみの変更で対応するのはまず無理でしょう。どのような回路を設計なさろうと考えているのか不明ですので、明確な回答を得るのは難しいと思います。回路の用途や規模などできるだけ具体的に記載されたほうが、具体的な回答を得られると思います。
- myeyesonly
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一般的にはMOS型電界効果トランジスタ(FET)をそのまま、普通のトランジスタで置き換えるのは無理です。 理由はバイアスのあたえ方、入力インピーダンスなどがまるきり違うので同じ回路ではまともに動きません。 普通、そういう場合はバイアス回路を代えてしまうか、小さなMOSFETとパワートランジスタなどをダーリントン接続します。 ダーリントン接続 FETのドレインとトランジスタ(Tr)のコレクタ、FETのソースとTrのベースをつなぎ、トランジスタのコレクタをそのまま、元のパワーFETのコレクタとして、FETのゲートをパワーFETのゲートとして、パワーTrのエミッタを元のパワーFETのソースとして使います。 * * * ドレイン************コレクタ *****ゲート ソース ********ベース エミッタ * * * 判るかな? いずれにせよ、ちょっとした入門書を読んだ方がいいかも知れません。 簡単に応用が利くような内容でもないので。 もしくは、もう少し詳しい内容を教えて頂ければ返事できるかもしれません。
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