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MOS型電界効果トランジスタ

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MOS型電界効果トランジスタをパワートランジスタまたは、トランジスタで置き換えたいのですが、その方法を教えてください。できれば回路図も知りたいので、そういうページなども教えてもらいたいです。ほとんど何も分かってないので分かりやすく教えてもらえれば幸いです。
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レベル14

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一般的にはMOS型電界効果トランジスタ(FET)をそのまま、普通のトランジスタで置き換えるのは無理です。 理由はバイアスのあたえ方、入力インピーダンスなどがまるきり違うので同じ回路ではまともに動きません。 普通、そういう場合はバイアス回路を代えてしまうか、小さなMOSFETとパワートランジスタなどをダーリントン接続します。 ダーリントン接続 FETのドレインとトランジスタ(Tr)のコレ ...続きを読む
一般的にはMOS型電界効果トランジスタ(FET)をそのまま、普通のトランジスタで置き換えるのは無理です。
理由はバイアスのあたえ方、入力インピーダンスなどがまるきり違うので同じ回路ではまともに動きません。

普通、そういう場合はバイアス回路を代えてしまうか、小さなMOSFETとパワートランジスタなどをダーリントン接続します。

ダーリントン接続

FETのドレインとトランジスタ(Tr)のコレクタ、FETのソースとTrのベースをつなぎ、トランジスタのコレクタをそのまま、元のパワーFETのコレクタとして、FETのゲートをパワーFETのゲートとして、パワーTrのエミッタを元のパワーFETのソースとして使います。


                             *
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        ドレイン************コレクタ


*****ゲート

        ソース ********ベース

                           エミッタ
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判るかな?

いずれにせよ、ちょっとした入門書を読んだ方がいいかも知れません。
簡単に応用が利くような内容でもないので。

もしくは、もう少し詳しい内容を教えて頂ければ返事できるかもしれません。
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  • 回答No.2

MOSの特徴としてゲートのインピーダンスが非常に大きい電圧増幅素子であるということです。一方PNPやNPNなどのトランジスターではベースのインピーダンスは、それに比べて相当低い電流増幅素子です。素子自体の特性が相当異なりますし、myeyesonlyさんが指摘されて良いるようにバイアスの与え方も異なります。出力段のみの変更で対応するのはまず無理でしょう。どのような回路を設計なさろうと考えているのか不明ですの ...続きを読む
MOSの特徴としてゲートのインピーダンスが非常に大きい電圧増幅素子であるということです。一方PNPやNPNなどのトランジスターではベースのインピーダンスは、それに比べて相当低い電流増幅素子です。素子自体の特性が相当異なりますし、myeyesonlyさんが指摘されて良いるようにバイアスの与え方も異なります。出力段のみの変更で対応するのはまず無理でしょう。どのような回路を設計なさろうと考えているのか不明ですので、明確な回答を得るのは難しいと思います。回路の用途や規模などできるだけ具体的に記載されたほうが、具体的な回答を得られると思います。
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