• ベストアンサー

IGBTとIGCTの違い

IGBTとIGCTの違い って、なんですか? どっちが最新でどっちが優れていてどっちがコストが高いのでしょうか?

noname#186122
noname#186122
  • 科学
  • 回答数2
  • ありがとう数2

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
  • sawa001
  • ベストアンサー率51% (146/286)
回答No.1

IGCTって初耳でしたが、 Integrated Gate-Commutated Thyristor ですね。IGBTは、 Insulated Gate Bipolar Transistorで、一文字しか違わないように見えてgateしかかぶってません。 IGBTはカメラのフラッシュから大電力インバータまで広く使われていますが、IGCTは大電力の特殊用途でしょうね。 IGCTの方が新参のような気がします。 IGBTはゲートに電圧をかけることでON/OFFを制御できます。ゲートに直流電流は流れません。 ゲート電圧が低いとオフし、高いとオンします。非常に小さな電力で大きな電力を高速にON/OFFできるのが特徴です。 IGCTはゲートに電流を流しこめばONし、ゲートからアノード電流以上の電流を引き出せばOFFするようです。 電圧急変とサージに対する耐性が優れていて、ダイサイズも小さくできるようなことが書いてあります。 http://en.wikipedia.org/wiki/Integrated_gate-commutated_thyristor http://library.abb.com/global/scot/scot256.nsf/veritydisplay/1a628314faedffd4c1256b9d0049c780/$File/Se00ps_copyright.pdf IGCTの値段ですが、アールエスコンポーネンツしか見ませんでしたが、扱ってないようで、よくわかりません。 供給メーカーもあまり無いようなので、安くは無いでしょうね。

noname#186122
質問者

お礼

よくわかりました、ありがとうございます!

その他の回答 (1)

  • foobar
  • ベストアンサー率44% (1423/3185)
回答No.2

元になる素子が異なるかと思います。 IGBTは(等価的に)バイポーラトランジスタのベースのところにMOSFETをつないで、絶縁ゲートにした素子で、IGCTはサイリスタのゲートに工夫をしたもの(ゲート電流を使ってOFFできるGTOというのがありましたが、それの特性改善したもの)となるかと思います。 広く使われている(その分、コストダウンで来ている)のは#1さんも書かれているようにIGBTでしょう。

noname#186122
質問者

お礼

わかりやすいご説明ありがとうございます!

関連するQ&A

  • IGBTのウェハーについて

    IGBTを製造するためのシリコンウェハーについて、ご存じでしたら教えてください。 IGBTにはFZウェハーしか使えないためにウェハーの大口径化が難しく、現状では5インチウェハーで製造されていると聞きました。もしCZウェハーが使えるならば大口径化が可能になり、コストダウンが可能になります。 なぜCZウェハー+エピではIGBTを作ることができないのでしょうか。

  • IGBTについて

    こんにちは。 IGBTについて詳しい方いらっしゃいますか。 富士電機製:「6MBI25S-120」の後継機種がわかる方 教えて下さい。

  • IGBTの駆動回路について

    IGBTを駆動するために下図の回路を使用したいと考えているのですがいくつか質問があります。まず一つ目ですがスナバ回路の取り付け方はあっていますでしょうか。二つ目はIGBTがOFFした際に、制御側GNDとIGBTのコレクタ側の電圧関係が定まらず、コレクタ・エミッタ間やコレクタ・ゲート間の電圧が不定になり、IGBTの破壊につながってしまわないかという点です。三つ目は下図IGBTに並列に接続されているダイオードはIGBTの内部ダイオードを使用しているのですが、このダイオードはこのような使用方法でもいいのでしょうか。 初歩的な質問で申し訳ありませんが、回答のほどよろしくお願い致します。

  • IGBTのジャンクション温度

    IGBTのジャンクション温度を求める際に、IGBTのチップの裏側(金属部分)の温度だと思います。 そこで、IGBTの裏側とIGBTを固定するアルミ板の間に熱伝対を入れる為、削って熱伝対を挿入して温度測定を行ったところIGBTがその隙間でスパークを起こして破損してしまい温度測定ができなかったので、表面温度(銘柄が書いてある表側)で測定したのですが、ジャンクション-表面温度間の熱抵抗がメーカーでは定義されてない場合、ジャンクション温度を求めることはできないでしょうか? 宜しく御願い致します。

  • 東洋IGBTの車両は今後増えつつありますか?

    京成3000系や北総7500系の車両はどうやら東洋電機会社のIGBTであることが分かったのですが、そのほかにもVVVF車両として日立のIGBTとかありますよね。その中でも東洋電機会社のIGBTは比較的けっこう新しい方に入るのでしょうか?今後もそのような車両(東洋IGBT)が増えつつありますか?

  • IGBTのFS層について

    最近IGBTについて勉強をはじめたのですが、FS層がなぜあるのかがよく分かりません 空乏層がP層に届くのを防ぐためのものらしいのですが、空乏層がP層に届くとどうなってしまうのでしょうか?

  • IGBTのターンオフ時間について

    こんにちは IGBTのターンオフ時間は、蓄積時間と下降時間の和と言う事なのですが、蓄積時間と下降時間って何でしょうか?

  • パワー半導体(IGBT・SiC素子)について

    パワー半導体についてご質問させて頂きます。3つ程ありますがひとつでも結構ですのでお詳しい方がいらっしゃいましたら是非ご教示願います。的外れな質問なのかも知れませんが宜しくお願いします。 (1)GTOサイリスタやIGBTについてですが例えばトランジスタのように信号増幅な使い方はしないのでしょうか。基本的にターンオンとオフしかできないものなのでしょうか。 (2)IGBTは電圧駆動ということですが、ターンオフさせるためには電流型がマイナス電流を流さなければならないようにマイナスの電圧を印加させる必要があるのでしょうか。 (3)SiC素子についてですがSiの限界により特性に優れたSiCを使ったダイオードなどがあるようですが、SiCを使ったIGBTというものがあるのでしょうか?色々文献を調べてもサイリスタ→GTO→IGBT→SiCという横並びの進化ではないような気がしますがわかりやすい資料をみたことがないため自分では混乱しております。 なかなか半導体技術は専門的でわかないことが多くあります。どうぞ分かり易くご教示願います。宜しくお願いします。

  • IGBT過電流保護について教えてください

    DC-ACインバーター内部で使用しているIGBTが過電流で破損して困っています。 定格40Aと100Aクラスのものですが、簡易にできる対策はないでしょうか? 回路や部品をあまり変更したくないので、IPMやIPDなど過電流保護付きの 製品があると良いのですがネットで調査した限りは見当たりませんでした。

  • IGBTの消費電力の実測方法

    IGBT(チップタイプ)の部品温度上昇試験を行っていて、ケース温度からジャンクション温度を推測したいときに、消費電力が必要となりますが、IGBTの消費電力の実測はコレクタ側の電流と、コレクタ-エミッタ間の電圧を見ればよいのでしょうか? 宜しく御願い致します。