無安定マルチバイブレータのV-f特性

このQ&Aのポイント
  • 無安定マルチバイブレータのV-f特性について調査しました。
  • 回路にかかる電圧と周波数の関係をグラフ化しました。
  • グラフの形状には特定の傾向があり、それを解明したいと思っています。
回答を見る
  • ベストアンサー

マルチバイブレータのV-f特性

無安定マルチバイブレータの実験をしました。 電源電圧を0から15Vまで変化させて、周期をオシロスコープで測定しました。その周期から周波数を計算して、横軸に電圧、縦軸に周波数をとってグラフ化しました。 f  | 40 |        ・    |       ・    |      ・ 30 |   ・・・    |  ・    | ・          f=kHz  20 |・    L―――――――――     1  6   12 V こんなグラフになりました。30kHzの回路を作成したので6~10Vの時は30kHzに近い値になりましたが、1~6Vと10~15Vは右上がりになりました。 なぜ、このようなグラフになるのでしょうか? おしえてください。よろしくお願いいます。

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
  • Teleskope
  • ベストアンサー率61% (302/489)
回答No.2

詳しい図をどうもありがとう。 しかしとても古いトランジスタを使ってるのだな。ずいぶん前に製造中止になった製品でデータシートが無かった。 ............................................................................. Vcc    ↑    |  Vcc-Vbe    |    |                Vbe(on)約0.65V  _↓___          __↓___ ........↑..........│......................../............................ gnd    |     │      /    ↑    |     |     / Vcc-Vce(s) |    /     |     | /   Vccに向かって指数変化     ↓     |/   時定数τ=CbRb                    =470p×51k=23.97μs トランジスタのコレクタ電位は(gndから測って)オフ状態ではVccでオンすると飽和電圧Vces(sは飽和)になるゆえ、その振幅はVcc-Vces。この振幅がコンデンサを渡って反対側のベースを負に振る(上図)。ベースの電位は今までオンしてたから Vbe(0.65V程度)であった。そこから急激に負に振られる。その直後からRb経由で充電が始まる。 充放電の一般式はお馴染みの V=Vo・exp(-t/τ) である。 Voは一見複雑に見えると思うが、充電の最終到達値はVccである。そこを基準にVoやVを測れば簡単明瞭である。(*) 上図から Vo = Vcc-Vbe + Vcc-Vces = 2Vcc-(Vbe+Vces) である。 これが再びトランジスタをオンさせる所は、やはりVccから 測ってVcc-Vbeになる所である。 ゆえに、充放電の一般式から Vcc-vbe=(2Vcc-Vbe-Vces)・exp(-t/τ) を満たすtがパルスの幅になる。 exp(-t/τ)=Vcc-Vbe/(2Vcc-Vbe-Vces) -t/τ=ln{Vcc-Vbe/(2Vcc-Vbe-Vces)} 周波数は1/2tゆえ f=1/(2τ)・1/ln{(2Vcc-Vbe-Vces)/(Vcc-Vbe)} ところで、シリコンTrでは、コレクタ電流を数ミリ流した場合は、およそVbe=0.65V、Vces=0.2V程度である。だいたい決まってる。 そこで数値計算; Vcc   f=1/47.94μs・1/ln{(2Vcc-0.85)/(Vcc-0.65)} 15(Volt)  29.43 (kHz) 14     29.39 13     29.33 12     29.27 11     29.19 10     29.10 9      28.98 8      28.84 7      28.65 6      28.41 5      28.05 4      27.51 3      26.59 2      24.62 1.5     22.48 1.3     21.06 1.2     20.13 1.1     18.98 1.0     17.53 単純化した計算なので実測値とはズレがあるが傾向は同じはず。 下の方の落ちかたは;直線ではなく電圧が低い所が急激に落ちてるのでは? もし違う場合は実測値を教えて下さい。別の原因が隠れているかも。まさかトランジスタが永年の酷使で劣化してるのか?など。 上の方が上昇する様子からして、エミッタベース逆耐圧Veboは実力10V程度ありそうだ。図の Vcc-Vce(s) がこのVeboで押さえられて一定値になる、という式を作り直して実測値と比べることを勧める。 (*) 複雑な回路の場合これがコツ。 最終状態から測れば式は常に exp(-t/τ)になる。 (1-exp(-t/τ))は使わなくともよい。

norvill625
質問者

補足

そーなんです。理論値と実測値はずれがありました。 Vcc kHz 15  41.7 14  39.2 13  37.0 12  35.7 11  33.3 10  31.3 9   31.3 8   30.3 7   30.3 6   30.3 5   30.3 4   29.4 3   28.6 2   27.8 1   22.7 となりました。 なぜ11~15Vは増えていき、1~4Vは低いところから30kHzに向かって増えていくのがわからないんです。 トランジスタは一応新品のもので回路を作成しました。抵抗もコンデンサもです。 オシロで波形観察もしましたところ、Teleskope さんの図のようになりました。

その他の回答 (3)

  • Teleskope
  • ベストアンサー率61% (302/489)
回答No.4

もし課題が「電源15Vまで正常に動かせ」なら、別途相談に乗ります。

  • Teleskope
  • ベストアンサー率61% (302/489)
回答No.3

実測データどうもありがとう。 Vcc 実測値→相対値 相対値 ← 計算値                 15  41.7  1.38 | 1.04   29.4 14  39.2  1.29 | 1.04   29.4 13  37.0  1.22 | 1.03   29.3 12  35.7  1.18 | 1.03   29.3 11  33.3  1.10 | 1.03   29.2 10  31.3  1.03 | 1.02   29.1 9   31.3  1.03 | 1.02   29.0 8   30.3  1.00 | 1.01   28.8 7   30.3  1.00 | 1.01   28.7 6   30.3  1.00 | 1.00   28.4 5   30.3  1.00 | 0.99   28.1 4   29.4  0.97 | 0.97   27.5 3   28.6  0.94 | 0.94   26.6 2   27.8  0.92 | 0.87   24.6 1   22.7  0.75 | 0.61   17.5 1.相対値をグラフにプロットして比較して欲しい。平坦部と下の方はおおむね合ってると言ってよい。私の計算値はかなりアバウトだから。  オシロを使えるのなら、VbeやVcesを実測して再度計算してみればよい。この範囲では回路は正常動作してると考えてよい。 2.下の端の方は計算の方を信用しないで欲しい。電流が下がったときのVcesやhfeの変化など何も考慮してないから。 3.一番大事なのは、8~9ボルトから上の方がなぜ上昇するのか。原因は何度も書いてるのだが、ベースが負に振れすぎて耐圧限界(Vebo)を越えているからだ。トランジスタの基本の本か何かでエミッタ~ベースの逆耐圧を学んで欲しい。 ツェナーダイオード(定電圧ダイオード)のようになっているのだ。 要するに、この回路構成では電源電圧は8Vあたりが限界ということだ。それを越えて長時間動かしてるとトランジスタが次第に劣化してやがて壊れてしまう。

norvill625
質問者

お礼

毎回詳しくありがとうございます。 相対値をグラフにプロットして比較してみます。それとエミッタとベース間の逆耐圧ですね。 一つ一つつめていきます。 本当にありがとうございました。

  • Teleskope
  • ベストアンサー率61% (302/489)
回答No.1

上の方だけ教えましょう。前レスの蛇足に書いた禁忌状態をわざわざ起こしている。ベース~エミッタが逆電圧に耐えれずにブレークダウン(降伏;早い話がツェナーダイオード)を起こしている。ベースを負に振る振幅はその電圧より下がれないゆえ、充電開始の初期電圧は一定になる。一方、充電電流はVccに比例して増すゆえ、ベースオン電圧に達する時間がVccに比例して短くなる。 下記の部品定数とトランジスタの型番などをくわしく教えてください。出来ればトランジスタのベースエミッタ逆耐圧をデータシートで調べること。 一般に回路の質問は具体的な記述が無いと話が一般論で終わる。   Vcc          Vcc   |           |   R1           R3   |           |    |---R2----C-----|   |           |   |           ?   |   C            |    C   B--…         └----B   E                 E   |                |   gnd               gnd なお蛇足だが、ベースエミッタ間のブレークダウンを続けているとトランジスタが劣化してやがて破壊に到る。

norvill625
質問者

補足

部品定数とトランジスタの型番なんですが、      Vcc       │  ――――――――――――  │   │  │   │ Rc   Rb Rb  Rc   Rb=51kΩ  │   │  │   │    Rc=1kΩ  │―C―│  │―C―│    C=470pF  │   \  /   │  │    \/    │    トランジスタ  │    /\    │    2SC372-Y  │   /  \   │  C  /    \  C   B/      \B  E          E  │          │ GND        GND です。f=30kHzでT=33.3μsecを目標にしました。 よろしくお願いいたします。 

関連するQ&A

  • 周波数特性をエクセルで書きたい

    トランジスタの周波数特性をエクセルの片対数グラフで書きたいのですが、うまくいきません。 周波数を横軸(対数表示)、縦軸に電圧利得でとりたいです。

  • 非安定マルチバイブレータのR1,R4について…

    この質問を見てくださった方、ありがとうございます。 非安定マルチバイブレータを使って発振回路を作りたいのですが、 R1,R2,R3,R4を、全て1kΩ、 C1,C2どちらも0.47µF で、回路を組んだのですが、全く周波数が現れません。 それどころか、3Vの入力も、数mVでしか出てきません。 トランジスタは2SC1815です。 R1とR4の値が間違っているのでしょうか。 どなたか教えてください!!><

  • 周波数特性

    研究でデジタルオシロスコープを使っています。この測定器の周波数特性(横軸周波数[Hz],縦軸Gain[dB])を求めたいのですが、具体的にどうすればいいのですか?教えてください。よろしくお願いします。

  • 電池のインピーダンス特性について

    直流はある程度わかりますが交流はてんでだめなのでぜひ御指導お願いします。 乾電池のインピーダンスを測定しましたが、縦軸にインピーダンス、横軸に周波数をとったグラフで高周波域ではがくんとインピーダンスが低下する結果が得られました。 想定している等価回路はコンデンサを抵抗を並列につないでいる所にもう一つ抵抗を直列につないだRC回路です。コンデンサ部があるので端子間電圧は周波数に反比例しますから、結果は低電圧側では電流を取り出しにくい電池であると解釈していいのでしょうか。 直流系と交流系の互換がものすごく悪いので、その辺で話を絞っていただけるとありがたいです。よろしくお願いします。

  • 双安定マルチバイブレータについて

    質問ですが、 双安定マルチバイブレータにおいて、入力波形の周波数と出力波形の周波数はどのような関係になりますか? ネットや書籍で調べているのですが、いろんな事が難しく書いてありなかなかわかりません。よかったら、上記の事だけを簡潔に教えていただけませんでしょうか。

  • C-V特性 F-V特性

    コンデンサのバイパス作用の実験をして、C-V(静電容量対出力電圧)特性と F-V(周波数対出力電圧)特性を測定したのですが、それぞれの理論値の求め方がよくわかりません。 わかる方がいましたら是非ご指南を。 肝心の回路ですが(文ですみません) 470KΩ抵抗を2つ直列につなぎ、(電流の流れる方向に対して)後ろの抵抗を コンデンサでバイパスし、さらにオシロに繋げて計測します。 式を教えていただければ、あとは自分で計算しますので。(当たり前)

  • 無安定マルチバイブレータ

    非安定マルチバイブレータについて勉強中なのですが、これはコンデンサの特徴だと思うのですが、コンデンサが充電された状態で、+側の電圧が0になったとき、ベース電圧がマイナスの電位から始まるのはなぜですか?それと、このLED点滅回路の仕組みを初心者に分かりやすく教えてください。 回路は↓のような感じです。 http://www.cqpub.co.jp/hanbai/PDF/34481/3448_8syo.pdf 本当に困っています。よろしくお願いします。

  • 自己インダクタンスの周波数特性について

    実験で、自己インダクタンスの周波数特性を測定しました。 結果は10kHzまではほぼ一定の横ばいで 10kHzから20kHzまで上昇し続け、20kHzをピークに落ちていきました。 どうしてこのように一定にならなくなるのでしょうか?理想的なインダクタンスは変化しないはずですが、 なぜ変化するのでしょうか? 2時間検索しましたがわかりません・・・ 私が知りたいのは 1、なぜ一定ではなくなるのか。 2、20kHzで訪れる自己インダクタンスの値のピークの原因はなにか。 3、20kHzを超えた後、減少し続けるのはなぜか。 ということです。 調べると、「共振」というワードを使う回答などもありましたが 私の測定したグラフは縦軸が「自己インダクタンス[mH]」であり 横軸は「周波数f[kHz]」であるので、線間容量による共振ではないと思います。 「3」に関しては、線間容量が無視できないほど周波数が大きくなってきたので コイルがもはやコンデンサとして働くため、 「インダクタンス」としての性質が失われつつあるのかな?と思ってます。 どうでしょうか? 20kHzで訪れるピークの理由は全然わかりません・・・ ただし、共振ではないと思うんです。 縦軸がインピーダンスなら共振ってのもわかるのですが・・・

  • 非安定マルチバイブレータの出力を昇圧させたいです。

    一般的な非安定マルチバイブレータ回路の出力をカメラのフラッシュ回路のトランスの一次側 につなぎ、2次側から出力を取り出そうとすると、発振が止まってしまいました。 13khzなのですが、10khz以上を保ったまま5kv程まで昇圧させたいです。 できればトランス系がいいです。 ご回答お願いします。

  • アステーブル・マルチバイブレーターの発振周波数の求め方

    タイトルの通り、アステーブル・マルチバイブレーター回路の矩形波の発振周波数の求め方を教えてほしいです。 R1,R2,R3,R4,C1,C2,Vccの値はわかっています。 ex R2=R4=1kΩ,R1=R3=47kΩ,C1=C2=2200pF,Vcc=6Vとして、矩形波の発振周波数を求めよ。 よろしくお願いします。