TFT-LCD(a-Si)とアモルファス太陽電池の製造プロセスの相違点

質問

TFT-LCD(a-Si)とアモルファス太陽電池の製造プロセスの相違点について。
仕事の関係上、現在、TFT-LCDとアモルファス太陽電池の製造プロセス(成膜の条件等)の相違点について調べています。それぞれを比較したプロセスフローを載せているサイトはたくさん見つかりますが、一番知りたい相違点について書かれているサイトが見つかりません。唯一見つかったのが下記のセミナーですが、既に終了しており、検索してもこれ以上引っかかりませんでした。できればこのセミナーそのものズバリの回答がほしいです。どなたか相違点について紹介しいるサイトやこの人に聞けば分かるというのをご存知の方がいらっしゃればご教示いただけると幸いです。よろしくお願い致します。　【セミナー：『成膜』の三大用途を追う 半導体/TFT-LCD＆太陽電池　第三部TFT-LCDアレイとアモルファス太陽電池　講師：ナノフロント研究所代表】

回答No.2

sanori · ベストアンサー

＞＞＞迅速なご指摘ありがとうございました。

いえいえ。

＞＞＞私は液晶製造メーカーに勤めているので、

私も液晶パネルに関わったことがあります。
もしかして、以前どこかでお会いしていたりして（笑）

太陽電池もＴＦＴも、アモシリだけでなく微結晶、多結晶のタイプのものもあるのですが、
今回はアモシリに絞ります。

＞＞＞LCDのa-Si(TFT)とアモルファス太陽電池のa-Siは、同じ成膜条件で作ることができるのでしょうか？
＞＞＞現有のLCDのa-Si成膜装置(CVD)を使って、条件を替えるだけでアモルファス太陽電池の膜を成膜できないかな？と思っているところです。

たぶん、やろうと思えばできます。
ガラス基板が熔けないようにプラズマＣＶＤで成長させる点で同じ。
水素ドープをする点でも、同じです。

＞＞＞できないとしたら何が違うのでしょうか？
＞＞＞例えばTFTのa-Siとアモルファス太陽電池は、膜厚や膜質が違う等です。

おっしゃるとおり、膜厚が大きな違いです。
ＴＦＴのアモシリはたぶん数十ナノメートル、太陽電池だと数百ナノメートル。
一桁程度違うと思います。

ＴＦＴの場合、ＯＦＦ状態の電流リークが大きいと、画素のキャパシタに蓄えられた映像信号電圧がフレームレートよりも速く変化してしまうので困ります。
ですから、膜を薄くし、かつ、太陽電池に比べて水素ドープの濃度も多めにしないといけないと思います。

また、太陽電池の場合は、３つのシリコン層が必要ですね。
ｉ層をＰ層とＮ層で挟むことが必要なので、３つ連続でプラズマＣＶＤをやるんですかね。実際どうやっているか知りませんが。

現役プロのお方ですので、私ごときの回答では満足がいかないかもしれませんが、少しでもご参考になれば。

お礼

ご回答ありがとうございました。
＞＞＞たぶん、やろうと思えばできます。
これが分かっただけでも十分な収穫です。引き続きアモルファス太陽電池について調べていこうと思っています。本当にありがとうございました。

回答No.1

sanori

こんにちは。

恐れ入りますが、「それぞれを比較したプロセスフロー」を見てもなおかつ「製造プロセスの相違点」がわからないという意味がわかりません。
（プロセスフロー　＝　製造プロセス）

具体的に何と何の違いがわからないのかを補足していただければ、お助けできるかもしれません。

お礼

迅速なご指摘ありがとうございました。確かにご指摘いただいた内容は、おかしいですね。質問の仕方を替えさせていただきます。
LCDのa-Si(TFT)とアモルファス太陽電池のa-Siは、同じ成膜条件で作ることができるのでしょうか？できないとしたら何が違うのでしょうか？例えばTFTのa-Siとアモルファス太陽電池は、膜厚や膜質が違う等です。私は液晶製造メーカーに勤めているので、現有のLCDのa-Si成膜装置(CVD)を使って、条件を替えるだけでアモルファス太陽電池の膜を成膜できないかな？と思っているところです。