接合型FETについて

質問

接合型FETについて

なぜ、MOSFETでは、分圧するのに、接合型FETは分圧しないのでしょうか？

回答No.3

KEN_2 · ベストアンサー

ANo.1,2 です。
>なぜ順方向に電圧をかけたらいけないんでしょうか？
接合型FETの場合、正のVgsを印可するとゲート電流が流れて素子を破壊してしまうのです。
接合型FETは構造的にデプレッション型となり、ゲートに電流を流さない逆バイアスで使用する素子なのです。

FETを理解しよう。　J-FET　＜図2-2＞　参照
http://www.cqpub.co.jp/toragi/TRBN/trsample/2003/tr0304/0304sp2.pdf

お礼

ありがとうございました。

回答No.2

KEN_2

ANo.1 です。
>接合型FETで逆方向電圧をかけるのは、ゲートに電流を流さないためなんでしょうか？
接合型FETの動作範囲はVP-VGS=0 の範囲で、＋側のバイアスは掛けないのです。
『ゲートに電流を流さないため・・・』と考えるより、動作点が「負の電圧をかけなければならない」範囲であると考えてください。

FETの特性(VGS-ID特性)；を参照ください。

補足

なぜ順方向に電圧をかけたらいけないんでしょうか？

回答No.1

KEN_2

>なぜ、MOSFETでは、「分圧」するのに、接合型FETは「分圧」しないのでしょうか？
質問の「分圧」の部分の解釈ですが、多分ゲートバイアスの部分で「分圧」と表現されていると判断します。

接合型FETは、デプレッション型でIDSS以上の電流は流せないので、＋側のバイアスはかけないのです。
バイアス回路を－側しか掛けていないので、「分圧」しないと表現されているのでは？と判断します。

Nチャネル・MOS-FETの場合は、デプレッション型とエンハンスメント型がありますが、IDSS以上に電流が流せるので、普通のNPNトランジスタと同じように使うことができるということです。
実際にNPNトランジスタをNチャネル・MOSFETでそのまま置き換えてしまっても動く場合は多いです。
このバイアス回路を見て「分圧」と表現されていると判断します。

以下のサイトの説明が違いを理解し易いと思います。
JFET、MOSFET(エンハンスメント、デプレッション）、それぞれの違い
http://www.nahitech.com/nahitafu/mame/mame1/fet.html

補足

接合型FETで逆方向電圧をかけるのは、ゲートに電流を流さないためなんでしょうか？