デバイスシュミレーションによるプールフレンケル挙動に関する事

質問

有機半導体TFTのデバイスシュミレーションにおいて、プールフレンケルモデルの電界依存移動度についてどのような挙動になるかを半導体工学での説明を迫られていて非常に困っております。

今、プールフレンケルタイプの電子の移動度の式が、
μ=μo×exp(γ√F)
F=Vds/L

μ：移動度
μo：ゼロ電界移動度
γ：電界依存特性パラメータ
F：電界
L：チャネル長

と与えられており、これを移動度-電界特性でプロットした図よりプールフレンケル挙動を説明しなければいけません。
個人的には電界を上げていくと、それにつれて移動度も上昇していく挙動がそれを表していると考えておりますが、いまいちよく分かりません。

また、これに関する良い書物やサイト等ご存知でしたらご紹介して頂けたら非常に嬉しいです。
それではよろしくお願いします。

回答No.1

noname#94461

"プール OR ポール　フレンケル 挙動 OR 効果"等でサーチされたらいかがでしょうか
(全くの門外漢ですが)