キャシュメモリに関する問題について、答えが分かりません
すみません、カテ違いかもしれませんが宜しくお願いします。
実はシスアド(18春)の問題で「キャシュメモリに関する正しい表記を選択する」問題ですが、答えが分かりません宜しくお願いします。
ア.書き込み命令が実行されたときに、キャッシュメモリと主記憶の両方を書き換える方式と、キャッシュメモリだけを書き換えておき、
主記憶の書き換えはブロックの入れ替え時に行う方式がある。
イ.キャッシュメモリは、実記憶と仮想記憶のメモリ容量の差を埋めるために採用される。
ウ.主記憶へのアクセスでキャッシュメモリにヒットしないと割り込みが生じ、プログラムによって主記憶からキャッシュメモリへデーターが転送される。
エ.半導体メモリのアクセス速度の向上が著しいので、キャッシュメモリの必要性は減っている。
・「ア」の「書き込み命令が実行されたとき」とは「何が何に」書き込み命令が実行されたときなのでしょうか。
「ブロック」とはどのようなものでしょうか。
・「イ」の「実記憶」とは何を指しているのでしょうか。
答えは「イ」か「ウ」のような気がするのですが、具体的にどこがどのように間違っているのか理解できません。
・シスアド、基本情報の過去問を解説しているサイトはどこかにあるのでしょうか。
補足
不揮発性メモリであるMask ROM・フラッシュメモリ・FRAMや揮発性メモリであるDRAM・SRAMなどについて、データ記憶のメカニズムがわかるものがあれば説明していただきたいです。