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半導体の特性について

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半導体素子の特性について、SiやGeによって差異があるものなのでしょうか?

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ベストアンサー率 44% (88/196)

あります。
シリコンダイオードとゲルマニウムダイオードの違いを簡単に言いますと、
Geダイオードは、順方向電圧が0.1V程度と小さく、微弱な信号を扱う回路に用いられます。
一方、Siダイオードは順方向電圧が0.7V程度とGeダイオードよりも大きく、小さな信号には適さない反面、逆方向耐圧や温度特性、その他、多くの点で優れた特性を持っています。

そもそも半導体自体の性質では、GeとSiでは、次のような違いがあります。

エネルギーギャップ
Ge 0.67
Si 1.11

密度[g/cm3]
Ge 5.32
Si 2.33

真性キャリア濃度[cm-3]
Ge 2.4×10^13
Si 1.45×10^10

移動度[cm2/Vsec]
Ge 電子 3900
  正孔 1900
Si 電子 1350
  正孔 480

誘電率
Ge 16.3
Si 11.7

融点[℃]
Ge 937
Si 1415

比熱[J/g℃]
Ge 0.31
Si 0.7

熱伝導率[W/cm℃]
Ge 0.6
Si 1.5

など。。。
このように元々の物質としての重要な性質が異なるため、電子部品でもその影響は異なることになります。

ダイオードなどの電子部品としての電気的特性の違いなどは、規格表で調べるといいです。
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