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７７Ｋのときの真性キャリア密度
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半導体中のキャリア密度は、状態密度と分布関数から計算でもとまります。 半導体工学関係の教科書にはのっていると思います。 伝導帯中の電子と価電子帯中の正孔の実効質量が等しいすると、フェルミ準位は温度に関係なく禁制帯の真中にくるので、温度Tの時 ni = 2×(2×π×m×ｋ×Ｔ/h^2)^(3/2)×exp(-Eg/2/k/T) Eg:禁制帯幅 k:ボルツマン定数 と、求まります。計算してみてください。 補足が必要な場合は、お知らせください。
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