昇圧回路とゲート信号の関係？
昇圧回路とゲート信号の関係？
昇圧回路のゲート信号の減衰がひどくて悩んでいます。
ゲートが上手くドライブできていないのか、他に原因があるのか…
よろしければ、アドバイスいただけないでしょうか。
現在、写真のような昇圧回路を組んでいます。FETはK2586、TrはB1381とD2079です。ベース電流とコレクタ電流に比は1対10になるようにセットしてあります。
F.G.の波形は0V,12Vの矩形波です。
電圧制限用のフィードバックはR4,R5でOUTを分圧し、分圧した電圧をZD→トランジスタに入力し、FETのゲート信号を制限するものです。今はR4、R5を同じにしてZDを12Vを使っているのでOUTは24Vになっています。
今回質問したいのは、
1. ゲートに接続しない状態でプッシュプル回路に入力するF.G.の周波数を150kHz程度にすると12Vあった出力信号波形が3V程度になってしまいます。なぜなのでしょうか？(周波数を下げると問題はない)
2. しっかり波形が出ている状態(周波数が低い)でゲートにつなぐとA点の電圧が10V程度になってしまいます。
FETをONするために必要な電圧は4Vなので条件を満たしているようにも見えますが、A点の信号が減衰してしいます。考えられる理由って何なのでしょうか？
3. 逆に周波数を上げるとA点の信号が0V、1V程度の矩形波になってしまいます。フィードバック回路が問題なのかと思い、はずして試した所、0V,2V程度の矩形波になったが、かなり減衰していることには変わりはありませんでした。
フィードバック回路を付けた場合、OUTの電圧が24Vで安定しているので、フィードバックはできているとは思うのですが、フィードバック信号が無くなった時に出るA点の信号は、なぜ、12Vから1V程度まで減衰してしまいのでしょうか？
また、フィードバック信号を外した場合でも12Vから2V程度に減衰してしまうのは何故なのでしょうか？
最低でも4Vは無いといけないのでFETが非常に発熱してしまいます
出力波形がしっかり出ている(周波数が低い)まま昇圧を続けると磁気飽和を起してしまいまい発熱し、周波数を上げると出力波形が大幅に減衰し、FETを上手くスイッチングできなくて発熱してしまいます。
4. 実験しやすいように(こうしないとFETのスイッチングを見れない…？)コイルの部分を抵抗に置き換えたのですが信号つぶれは殆ど起きませんでした。FETのドレーンの負荷の種類とゲート信号の減衰には何か関係があるのでしょうか。
以上の点についてよろしくお願いします。
お礼
そのまんまでいいんですね。ありがとうございます。