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半導体ウエハの成長プロセスに使用される高圧ガス
- 半導体ウエハの成長プロセスに使用される高圧ガスのセレン化水素、モノゲルマン、ジシランはドーピング源に使用される。半導体の成長プロセスでは、これらの高圧ガスが半導体ウエハの表面に堆積され、ドーピング源として機能する。これにより、半導体ウエハに特定の物質が添加され、半導体デバイスの性能が向上する。
- ドーピングとは半導体ウエハの回路を作る際に、特定の物質を添加することを指す。セレン化水素、モノゲルマン、ジシランは高圧ガスとして使用され、半導体ウエハの表面に堆積される。この堆積された物質が、半導体材料の結晶構造に取り込まれることで、半導体デバイスの特性が制御される。
- 半導体の回路を作るためには、電気的な特性を制御することが重要であり、そのためにはドーピングが必要となる。セレン化水素、モノゲルマン、ジシランはドーピング源として使用される物質であり、高圧ガスとして半導体ウエハの表面に供給される。これにより、特定の元素が半導体ウエハに取り込まれ、半導体デバイスの特性が制御される。
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