圧電体・強誘電体をデバイス(アクチュエータ、FeRAM等)として利用する際には、 電極 / 圧電体・強誘電体 / 電極 という構造を作製すると思うのですが、この際に電極間にリーク電流が流れると何か問題が起きるのですか
電解効果トランジスタのリーク電流は実測出来ないという話を聞きました。 ゲートとドレインに電流計をつけたとしてもドレインとゲートの間に流れるリーク電流はソースから流れてきた電流と区別がつかないため、 実測出来ないそうなの
こんにちは。 当方、大学にてLSIについて学んでいる者です。 トランジスタのゲート電圧がしきい値を超えない際にドレイン・ソース間をサブスレッショルドリーク電流が流れます。 この電流は下記の近似式により求められるそう
IGBTにゲート0Vのときのコレクターエミッタ間のリークと温度の関係式を教えてください。 リーク電流は、PN結合逆方向に電圧が印加によってP型半導体の少数キャリアがエネルギーの低いN型半導体の多数キャリアに移動する
お疲れ様です。経験・知識豊富な諸兄に質問があります。 メガーによる絶縁抵抗値より、漏れ電流を計算できるものでしょうか。 計算できると考えた場合、計算方法は単純にオームの法則を用いて出してよいものでしょうか。例えば
の濃度が薄くなると(極端に言えば何も注入しないと)、基盤に電流が流れやすいと習ったのですが、基礎的なデバイスの教科書を見ても頭の中で説明がうまくつきません。たとえば、横軸に左から金属相、N型相、Pwellをとるなどして
クランプメーターで三相同時に測定すると漏れ電流を測定する事が 出来ると聞いたのですが本当でしょうか? その方曰く「ZCTと一緒」といった表現でした。 接地線を測定するなら理解できますが・・・。 ZCTの原理は理解して
いぜんにも同じ質問をしたのですが、今だにわかりません。どなたか教えていただきたいです。 光電子放出の実験で、プランク定数が理論値より、測定した値の方が小さく出るのは、逆リーク電流といわれるもののせいらしいのですg、これ