IGBTを製造するためのシリコンウェハーについて、ご存じでしたら教えてください。 IGBTにはFZウェハーしか使えないためにウェハーの大口径化が難しく、現状では5インチウェハーで製造されていると聞きました。もしCZ
近年首記半導体業界で現在の300mmウェハから450mm化の話が出ておりますが、現時点でSiウェハに関して詳細な規格化が既に完了しているのでしょうか?基本的な部分であるこの規格が定まらないと装置開発など先へ進まないと
オリフラがないウェハーが存在するという噂を、聞きました。 ウェハーの結晶の向きを判断するためのオリフラですが、近年オリフラがないウェハーが存在するという噂を、聞きました。 私は現物を見たことも、聞いたこともないの
半導体プロセスでのウェハはどのように大切なのか?? 詳しくご存知の方,回答よろしくお願いします! またその応用についても・・・ 明日のテストの問題なのでできるだけ早くお願いいたします!
intelなどのcpuは45nmで作成されているようですが、ウェハーから切り出してcpuを作成するというあいまいな事しか知りません。 実際にどのような工程で作成されるのでしょうか。 ・パソコンで回路図を作成して
ICなどに使われているシリコンウェハですが、「90nm技術で1枚のウェハからよりたくさんのチップが取れるようになりコストダウンになる」などの話はよく聞くのですが具体的にウェハの原価ってどれくらいなのでしょうか?そして
単結晶シリコンウェハには(100)、(110)、(111)面の面方位のウェハがありますが、例えば(100)面のウェハの方向指数?<100>、<110>方向(原子から原子までの距離の違い?)がわかる方法というのはあるの
半導体製造工程でウェハーを切断する時にダイシングしますが、この時にウェハーを固定しているUVテープは切断されてしまうのですか?それとも、ウェハーとUVテープの境目で切断しているのですか? ダイシングの後にUVテープを
ウェハ接続のSUS流量計があり、想定する接続配管は水道水配管(鉄)とし
ウェハ接続のSUS流量計があり、想定する接続配管は水道水配管(鉄)としていますが、 異金属腐食の問題は心配ないんでしたっけ?
質問させて下さい。 ウェハー(円週)上の3点(X1,Y1)(X1,Y2)(X2,Y2)が分かっているとします。このとき、この3点からX*Yサイズのチップ(四角形)が最大何枚できるか 算出できる式を知りたいのです