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トランジスタ：NPN,狭バンドギャップ効果
あるトランジスタの教科書に 「エミッタ領域のバンドギャップは低濃度(ドナー濃度)の場合に比べて小さい。」つまり高濃度の場合はバンドギャップが大きい。 という記述がありました。これを「狭バンドギャップ効果」というらしいのですが、よく理解できません。 バンドギャップは、端的にいえばある一つのSiに注目してそれに結合したドナーとの兼ね合いによる準位を議論するものではないのでしょうか？ここでは、ドナー濃度がバンドギャップと関係しております。ということは複数のSiとその周囲のドナーに注目するとそれが濃度によって、バンドギャップを左右してしまうのでしょうか？今まで、ドナー濃度がバンドギャップを左右するという話を聞いたことがありません。 どなたか、少しでもアドバイス頂けたらと思います。専門外なので的を得てないかもしれませんが、是非意見をお願い致します。
- e-l
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- zaki_shin
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PN接合における拡散電位差のことを言っているのではないでしょうか？ ところで説明がよく分かりません。 ＞「エミッタ領域のバンドギャップは低濃度(ドナー濃度)の場合に比べて小さい。」つまり高濃度の場合はバンドギャップが大きい。 ↑↑日本語としておかしいような。。
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