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不純物添加の仕方について
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え～……ＺｎＯですか…… 思いっきり研究してました(苦笑） んで、質問は…… ほへ……？ あなたが持っている装置によります（＾＾； スパッタ装置を使う手もあるし、ＣＶＤとかレーザーアブレーションとか イオン注入とかいろいろあります。 膜形成をする場合の基板温度は300～500℃くらいが一般的なようです。 ゾル・ゲル法では難しいかも知れません。 炉しかないなら単純にＺｎＯにアルミニウムを混ぜ込んで焼く。 温度はＺｎＯの融点の2/3くらいの温度が適温だったはず……経験則なのですがね。 ああ、溶かせるなら溶かしたほうがいいやも知れない。 濃度は5％も添加できないんじゃないかな？ とりあえず、どこが問題なのか詳しく教えてください。
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- aruberihi
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うーん、条件が振れないのですか…… ところでnoapatoさんは研究者の方ですか？ ZnOにAlを添加する研究に関する論文はごまんとあるはずですが…… まずは論文を確認した方が宜しいかと存じます。 まあ、参考までに 実験条件は基本的にLiでの条件で良いかと思います。 焼成温度を上げるとかすれば拡散時間が短くなると思いますが…… 私はスパッタで膜を作っていたのですが固溶限界は1％～5％くらいだったはずです。 それでは
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補足
ZnOを取り扱っていたことがあるんですね。心強いです!さて、まず問題としては装置が電気炉しかないと言うことです。それでZnO多結晶にAlを添加してZnOの抵抗値を下げたいのが目的です。Liを添加して抵抗値を上げることには成功しています。その方法はリチウム水溶液にZnO多結晶を浸して900℃で100時間加熱拡散する方法を使っています。Alを添加する方法も同じ方法で良いとは思うのですが、時間があまりなく条件を探している余裕がないのです。そこで細かな条件を皆様にお聞きした次第です。どうぞよろしくおねがいします。