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間接遷移半導体は直接遷移もしますか？
Siなどの間接遷移半導体はバンドギャップに相当する光を当てた時に、光のエネルギーとフォノンの運動量を得て価電子帯の頂点から伝導帯の底に遷移すると学びました。 それでは、同じ波数での価電子帯と伝導帯の幅に相当するエネルギーの光を当てた時に直接遷移するのでしょうか？ また、もし起こりにくい場合はその原因はなぜでしょうか？ 宜しくお願いいたします。
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- leo-ultra
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