- ベストアンサー
空乏層の読み方
- みんなの回答 （1）
- 専門家の回答
質問者が選んだベストアンサー
そのとおり くうぼうそうです
関連するQ&A
- PN接合で、逆バイアスをかけるとなぜ空乏層が広がる
PN接合で、逆バイアスをかけると空乏層が広がるのは、空乏層内のドナーイオンとアクセプタイオンが増えるからだと思いますが、それらのイオンがなぜ増大するのかそのメカニズムがわかりません。 順バイアスの場合に、空乏層がせばまるのは空乏層内で上の両イオンが減少するからだと思いますが、その減少するメカニズムも知りたいです。
- 締切済み
- 電気・電子工学
- ダイオードの空芝層での現象について
ＰＮ接合ダイオードでは、Ｐ型にプラス、Ｎ型にマイナスの端子を接続すると、電流が流れるようになりますが、そこで疑問に思ったことがあったので質問させていただきます。 (1)Ｐ型とＮ型の接合面では電子とホールが対消滅して、空芝層という中性の領域が出来上がり、移動できる電荷がないため、つまり、キャリアがないため、電流が流れないと思うのですが、最初、電圧を印加しなくてもＰＮ接合ダイオードを製造した時？Ｐ型とＮ型の半導体を接合した瞬間、電流は瞬間的に少し流れるんでしょうか？なぜなら、接合した瞬間は、Ｐ型とＮ型の電子、ホールが引かれ合って、接合面まで移動すると思ったからです。すぐに均衡が図られて電流は流れなくなるとは思いますが・・・・ (2)順バイアス電圧を印加すると電流が流れますが、そのとき、空芝層では絶えず対消滅が発生しているために、電流が流れるのですよね？ですが、電子とホールはそれぞれはダイオードの中心付近で対消滅するのだとしたら、電子は空芝層を通過しているわけではないということですよね。 つまり、Ｎ型の多数キャリアである電子はＰ型の層に到達して、さらに電池のプラス端子までは到達していないということですよね。ってことは、電流ってのは、導線のどこかの電子が動けば、流れるものなんでしょうか？自由電子は、接合面で消滅しているわけで、プラス端子までは移動していないのでこのような疑問を抱きました。 よく、電流の説明をしているアニメーションを見ると、マイナス端子から出て、プラス端子まで到達したときに、電流が流れるような感じになっています。 そこらへんが疑問に思います。 (3)逆バイアス電圧を印加すると、電流は流れなくなりますが、これは、プラス端子からホールが流れ込み、Ｎ型の電子がそれに引かれてダイオードの端の方まで引かれる。 マイナス端子の方も、電子が流れるために、Ｐ型のホールがそれに引かれて、同じく端に引かれるそのため、ダイオードの中心付近の電荷も端に寄って、結果として、中心付近には電荷がない状態（電荷の移動がない状態）となり、電流が流れなくなるんですよね？ ですが、逆バイアス電圧を流した瞬間は、電荷がダイオードの端に移動するため、電荷の動きに時間的変化があるため、電流は一瞬流れると思うのですが、どうなのでしょうか？ ちなみに、Ｐ型の端に寄せられた、ホールとマイナス端子からでてきた電子がダイオードと導線の接合付近で消滅して、ダイオードと導線の接合付近にも、空芝層ができることはないのでしょうか？ 以上、長い質問ですが、回答よろしくお願いします。
- ベストアンサー
- 物理学
- pn接合容量Cが空乏層幅Wを用いるとC=半導体の誘導率/Wであることを
pn接合容量Cが空乏層幅Wを用いるとC=半導体の誘導率/Wであることを示せという問題があります。 とき方が解りません。どなたかアドバイスをお願いします。
- ベストアンサー
- 物理学
- フォビオン三層CMOSセンサーのカラー撮影原理
フォビオン三層CMOSセンサーのカラー撮影原理 一つの画素中に、三層のPN接合（上から青、緑、赤検知用のPN接合） を作製しているフォビオン三層CMOSセンサーについてですが、 赤色光はいちばん深いところにある赤検知用PN接合に検知される原理だそうですが、 光の吸収は確率的なものであって、赤色光はいちばん浅いところにある 青検知用PN接合にも必ず検知されているはずです。いや、むしろ 光の吸収の原理から、任意の波長の光は表面に近い部分に多く吸収されることから 青検知用PN接合によって赤色光はほとんど感知されるはずです。 上記の場合、どのようにして赤色光を処理しているのでしょうか？ 入射光は赤色光なのに、青検知用PN接合によって青色光が来たと 誤認識されそうなのですが。
- ベストアンサー
- デジタルカメラ・フィルムカメラ
- 蓄積層と反転層をチャネルとするトランジスタの違い
ｐｎ接合を持っていて反転層をチャネルとするＭＯＳＦＥＴではエンハンスメント型とディプレッション型があることを勉強しました。 エンハンスメント型であると、off時に電圧をかけずにすむので消費電力が少なくてすむとも聞いています。 そこで疑問に思ったのですが、 （１）ここで、ＭＯＳＦＥＴ（反転層使用）はほとんどがエンハンスメント型であると聞いたのですが、これはなぜなのでしょうか。 （２）また、蓄積層をチャネルとするＴＦＴではエンハンスメント、ディプレッション型のどちらが主なのでしょうか。また、その理由は何なのでしょうか。 よろしくお願い致します。
- ベストアンサー
- 物理学
- PN接合の空乏層容量について
半導体やアナログ回路についての勉強をはじめたばかりの者です。本を読んでいると、PN接合の接合部がキャパシタンスのような役割を持つ、とあります。キャパシタンスの役割をもつのであれば、直流電流は流れないのではないかと不思議に思っていろいろ調べたのですが、私のキャパも超えたらしいです(笑)。どなたか教えていただけませんでしょうか？ここで詰まってしまって回路の勉強も手につかなくて…。よろしくお願いいたします。
- 締切済み
- その他（学問・教育）
お礼
ありがとうございました。すっきりしました。