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トランジスタの破壊の原理について教えてください
トランジスタの破壊について教えてください。 例えばVBEO=5Vとした場合にエミッタ-ベース間に5V以上の逆電圧がかかった場合に 電流が流れることによりトランジスタは破壊するのでしょうか？それとも電圧がかかるだけで破壊するのでしょうか？ 対策としてベースに逆流防止のためダイオードを入れた場合には（微笑しか）電流は流れないので、 電圧がかかっても破壊には至らないと考えてよいでしょうか？ よろしくお願いします。
- k-design
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エミッタ-ベースはダイオードと考えて下さい 当然耐えられる逆電圧があります 数V～十数Vで これを超えますと電流が急に増え熱で劣化叉は壊れます 何を目的の回路かによって対策は変わります と言いますのは対策によって目的の増幅回路等に影響を及ぼすからです 逆流防止のためダイオードを入れた場合も当然影響しますので良く検討して下さい スイッチング用トランジスターはエミッタ-ベース間逆耐圧が高いのでパルス動作には良く使われます と言うよりパルス回路では逆電圧が掛ける事が多いので初めから高く作られているのです
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- inara1
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＞ベース-エミッタ間に抵抗を入れればベース-コレクタ間に蓄積した電荷を逃がすことが出来ますか？ できます。参考URLの図2-6にその方法が出ています。Rb1 > Rb2 なら、Rb1を通して放電するよりも早く放電されるのでスピードアップになります。ただし、入力電圧がRb1とRb2で分圧されてベースに加わるので、Rb2が小さいときは入力電圧を高くしなければONになりません。入力電圧が負になる場合の保護回路は下図のようにすればいいと思います。 Vcc │ 負荷 │ C Vin ─ R1 ─┬─┬ B R2 ↑ E ┷ ┷ ┷ GND 参考URLの図2-12に、R1と並列にコンデンサ（スピードアップコンデンサ）をつける方法が書かれていますが、入力電圧が負になる場合にその方法を使うと、入力電圧が負になった瞬間にベース-エミッタ間の保護ダイオードに過大電流が流れる（コンデンサがショート状態になる）のであまり良くないと思います。
お礼
ありがとうございます。助かりました。
- inara1
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トランジスタのベース-エミッタ間に逆バイアスをかけたときに降伏しても流れる電流が小さければ壊れることはありません（許容電流値はトランジスタによって違います）。ベース-エミッタ間が降伏したときに発生するノイズを使ったホワイトノイズ発生器が参考URLにあります。 k-designさんの逆流防止というのは以下のような回路（NPNトランジスタの場合）だと思います。 Vcc │ 負荷 │ Di C Vin ─ R ─ →─ B E ┷ GND 入力電圧Vinが負のとき、ある電圧未満でトランジスタが降伏して電流が流れ始めますが、ダイオード（Di）の飽和電流（逆方向リーク電流）以上の電流は流れません。飽和電流はμA以下の小さな電流なのでトランジスタが永久破壊に至ることはないと思います。ただし、ベースにダイオードを入れると、Vinを 0V にしても、ベース-コレクタ間に蓄積した電荷がなかなかなくならない（OFF遅延が非常に遅くなる）ので高速動作には向いていません。ベース-エミッタ間に、並列にダイオードを入れて、Vbeが-0.6V以下にならないようにするのが普通だと思います。
お礼
回答ありがとうございます。 「逆バイアスをかけたときに降伏しても流れる電流が小さければ壊れることはありません」 上記を確認できたのですっきりしました。 記載していただいた回路にした場合の弊害も分かりました、ありがとうございます。 ちなみにベース-エミッタ間に抵抗を入れればベース-コレクタ間に蓄積した電荷を逃がすことが出来ますか？
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