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トランジスタON状態でのエミッタ/コレクタ電圧
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- n556
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トランジスタの品種により、逆HFE？が1以上のものも1以下のものもあります。どちらにしても遮断状態にならず品種による違いは電流の大小は10倍以上ですが電流は流れます。
- anachrockt
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誤解されないように補足しますと、スイッチングと言っても今流行の パワー・スイッチングではなくて、シグナル・スイッチングです。 大昔は、今のようなIC化オペアンプ等が無く、高精度直流増幅は チョッパー・スタビライズド・アンプでした（とゆう話です）。 チョッパーのスイッチとか、同期検波とか、オン電圧が小さい （理想的には0V）ことが必要なところにコレクタ/エミッタを逆接続 したトランジスタを使ったと先輩から聞きました。 古いトランジスタ規格表で富士通製のVBEOが高いのがそれらしいです。
- anachrockt
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エミッタ/コレクタを逆に使うと、オン電圧が低くなるそうです。 ただし、hFEは小さくなり約1と考えないといけないようです。 私は、FETから使いだしたんでよく知りませんが、 大昔には、逆接続専用のトランジスタが出ていたようです。 古いトランジスタ規格表で、VBEOが10数V以上の品種がその手らしいです。
- hs001120
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バイポーラトランジスタは NPN,PNP という構造ですが、真ん中の層がベースです。 では、コレクタとエミッタはどちらがどちら? というと、 実はどちらがどちらでもトランジスタとして動作します ただし、ベースから片方に電流を流した時に より高感度に増幅作用を示す側を"エミッタ"用としている。です 一般的に反対側は、増幅作用が低い代わりに相対的に高い電圧に耐えられるように作られています。 つまり、コレクタとエミッタを逆に使えば 増幅作用が低く、耐圧性能も劣るトランジスタとして動きます。
- gatyan
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別の書き方をすると『コレクタとエミッタを入れ替えてもトランジスタは増幅器として作動するか？』ってことですよね？ 専門家ではないので細かい事はいえませんが、 とりあえず動作はするけど、特性は変わるはず と何かで読んだ覚えがあります 基本的な構造は対称ですが、実際の製品はいろんな特性や効率(?)を高める為にコレクタとエミッタ側で作り方（？）を変えているので、逆にすると特性が変わるらしいです
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