• ベストアンサー

VccとVddの違い

noname#11222の回答

noname#11222
noname#11222
回答No.2

素子がトランジスタ構造の場合はコレクタにかける電圧のため"c" MOS(FET)構造ならドレインなので"d"となると思います。 なぜVccとVddと2文字並ぶかは知りません。すっきりしない回答ですみません。

関連するQ&A

  • VDD(電源電圧)って何の略ですか

    VDD,GNDと簡単に使いますが、VDDって何の略ですか?なんかの頭文字をとったものでしょうか?

  • オペアンプの出力がVccに振り切ってしまいます

    http://www.geocities.jp/dgb_studio/circuit/3bandEQ.png この回路を4580DDを用いて作りました。 電圧は32Vです。 ですが、InputをGNDに落とした状態で、なぜか入力側(一番左)のオペアンプの出力が32Vに振り切れてしまっています。 単電源動作のため1/2Vcc持ち上げているので、一番左のオペアンプの出力は約16Vになるはずです。 なぜ振り切ってしまうのでしょうか。 ご教授お願いします。

  • トランジスタの動作について

    トランジスタを使った無安定マルチバイブレータの実験を行っています。電源電圧をVCCとした時、トランジスタのベース電圧を見ると、-VCCの電圧まで下がりますが、電源電圧VCCを上げていくと、ベース電圧がある電圧以下に下がらなくなりました。その電圧がトランジスタのVeb(エミッターベース間電圧)の最大定格電圧なのですが、何故このような現象になるのでしょうか? 一般的に、無安定マルチバイブレータの発振周波数は電源電圧に依存しないことになっていますが、このVebが下がらないことで、ある電源電圧以上にすると周波数が変化するようになります。 最大定格をオーバーした使い方なので、そのような電源電圧にしてはいけないのでしょうか? ちなみに、トランジスタにはロームの2SC4617を使用しています。 言葉だけの説明で申し訳有りません。

  • 電子回路のトランジスタによる増幅がわかりません。

    電子回路のバイアス点の設定の仕方などがわかりません。また、直流成分、交流成分で分けて重ね合わせの定理で解く方法もイマイチわかっていません。交流成分の見分け方がわかりません。 問題文、回路図に関しましては、画像を添付させて頂いています。質問内容は、(iii)の(b)(c)(d)の問題がわからないため、解答、導出過程をお願いいたします。 条件:ωo=1/√(C1L1) です。 回路図に関して見えにくい場合こちらで確認していただければ幸いです。 https://okwave.jp/qa/q9519791.html 問題文に関しまして、 図1に示すバイポーラトランジスタのA級増幅回路について、以下の設問に答えよ。増幅回路の電源電圧をVcc、トランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧をvce、コレクタ電流をicとする。トランジスタは活性領域にあり、vce>=0かつic>=0である。トランジスタのベース電流は無視してよい。 C1//R1//L1の回路を同調回路といい、共振各周波数をωoとする。 (iii)図1に示す回路について、トランジスタのバイアス点を設定したい。図1のように入力vi(t)およびvo(t)をとる。vi(t)=Vicos(ωot)に対して、vo(t)=Vcc-Vocos(ωot)が出力される時、以下の問に答えよ。ただし、ωoC2R2>>1, ωoC3{R3R4/(R3+R4)}>>1とする。 (a)Vccを用いて、ベース電圧Vbを求めよ。 (b)Vccを用いて、Vo(>0)が取りうる最大値Vmaxを表せ。 (c)Vo=VmaxとなるようにVceおよび、Icを設定した。このとき、(Vce,Ic)とトランジスタのバイアス点(Vceq,Icq)とする。Vccを用いて(Vceq,Icq)を表せ。 *直流成分では、Vce=Vcc-R2Icの関係を満たしていると思います。 (d)ベース・エミッタ間直流電圧をVbeとする。Vbe=0.6V、Vcc=12Vのときバイアス点(Vceq,Icq)を実現するための抵抗・比R3:R4を求めよ。 現在、非常に困っています。お忙しいとは思いますが、どうか宜しくお願いいたします。 問題文、回路図に関して、見えにくい場合上記のURLもしくは下記のURLを利用していただけると幸いです。 https://detail.chiebukuro.yahoo.co.jp/qa/question_detail/q11193428861

  • トランジスタの信号成分

    現在トランジスタの特性を調べる研究をしているのですが、バイアス(直流)電圧、信号(交流)電圧のことがよくわかりません。簡単に言うと、トランジスタはこの2つの電圧が入らなければならないのでしょうか??

  • エミッタ接地回路について

    NPNトランジスタでVcc-コレクタ間にコイルを接続して、正弦波を入力した時、コレクタ-GND間の正弦波電圧の振幅はVcc-GND間電圧より大きくなる(Vccの2倍)らしいのですが、本当でしょうか? 本当だとしたら、何故そうなるのか理屈を教えてください。

  • バイポーラトランジスタの問題です。

    バイポーラトランジスタの問題です。 写真にあるようなトランジスタの回路のバイアス成分についてです。 ベース・エミッタ間電圧が0.6vと近似するとき、ベースバイアス電圧はそのまま0.6vでいいのでしょうか? またエミッタバイアス電流は単純にコレクタ電流を出して、コレクタ電流と等しいとして出してもいいでしょうか? どなたかわかる方で回答よろしくお願いします!!

  • 電圧不感型バイアス電流回路

    写真の回路において、Ib=0となった時、まずM6のトランジスタに電流が流れ、次にM4、M1のトランジスタにも電流が流れて回路が起動するが、起動後はこのトランジスタM6のゲートーソース間にはVddー3Vgsの電圧しかかからずに電流は減少する。 質問です。 起動後にM6に流れる電流がVddー3Vgsになるのはなぜでしょうか?

  • 最低動作電圧について。

    電子回路で「最低動作電圧」とは、どこの電圧を指すのでしょうか?MOSトランジスタがoffしないような最低の供給電圧の事でしょうか?Vccの事でしょうか?出力の電圧の事でしょうか?教えてください。

  • トランジスタの交流増幅とバイアスの役割のことです。お願いいたします。

    トランジスタの交流増幅とバイアスの役割のことです。お願いいたします。 トランジスタで交流を増幅するときに、ベースから交流を直接入力するとベースエミッタ間のダイオードで整流されてしまいサイン波の片方だけしか出力されないと 思っています。 そこで利用されるのがバイアス電圧だと理解しているのですがこれでよろしいでしょうか。 もちろん、バイアスをかけることによって、トランジスターをONにするという役割があるとは思いますが、 入力される交流が正常な波形で増幅されるためにも利用されているということでしょうか。 例えば、入力の交流が v=sin(wt) とします。すいません、オメガが入力できないのでwにしました。 このまま直接入力すると、電圧は+1と-1Vを行ったり来たりするので、NPNトランジスタでは sin(wt)のプラスの部分しかベースエミッタ間に入力されない。 だけどバイアスとして例えば2Vを加えてやることによって V=sin(wt)+2 となるので、全て電圧がプラスの状態の脈流になって整流されず トランジスタに流し込むことができる、そして出力ではカップリングコンデンサで交流に戻して取り出すという理解をしているのですが これで正でしょうか。 何冊か本を見たのですが、どれも当たり前のようにバイアスをかけるということは書いて有るのですが、その理由とか交流がベースエミッタ間で整流されてしまう等のことが書かれておりません。 どうぞ宜しくお願いいたします。