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半導体製造工程の酸化膜について
半導体製造工程に用いられる保護膜で酸化膜（もちろんチッ化膜が主だと思いますが）があるとおもいますが、熱酸化で作られた酸化膜とＣＶＤで作られた酸化膜とは膜自体の性能といいますか、特性といいますか、やはり違うのですか？ 違うとすれば、どう違うのですか？教えて下さい。宜しくお願いします。
- densuke
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前回答者と一部重複しておりますが、私の認識している範囲で。 酸化膜 Siの中に酸素が拡散していくわけであり、良好なSiO2/Si界面をつくります（現在のMOSトランジスタの主流）。原子量比Si:O=1:2の理想的な酸化シリコンになりやすい。そして高温で形成されることから緻密。耐薬品性も良好（フッ酸によエッチング速度もCVDより遅い）。 CVD Si:O比は成膜条件に大きく依存。よって未結合の手も多数あり。その他の原子（反応ガスに含まれるH等）も多量に入る。すなわち欠陥の多い膜。したがってMOS用絶縁膜には向かない（でもTFT-LCDでは、その低温形成の特徴からMOSトランジスタに使われています）。耐圧も熱酸化より悪い。また保護膜で用いられる場合はアルカリ金属のブロックの目的でリンを混ぜた酸化シリコン(PSG)を使うことが多いと思います。
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- Umada
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熱酸化とCVDで酸化膜の特性は異なります。 熱酸化 酸化膜の密度が高く高品質。装置も単純でプロセスも制御しやすい。ただし配線間や配線後の絶縁膜に用いることができない。 CVD 装置やプロセスはやや複雑。比較的低温(酸化の場合)で膜を形成できるが、膜質や膜厚が不均一にならないよう注意が必要。膜質は劣る場合もある。 下記のページなども参考にされるとよいと思います。 http://www.planet.ne.jp/kniwa/process/film.htm http://www.screen.co.jp/eed/Semi_nyuumonn/4_04.html
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