• 締切済み

PN接合の空乏層容量について

半導体やアナログ回路についての勉強をはじめたばかりの者です。本を読んでいると、PN接合の接合部がキャパシタンスのような役割を持つ、とあります。キャパシタンスの役割をもつのであれば、直流電流は流れないのではないかと不思議に思っていろいろ調べたのですが、私のキャパも超えたらしいです(笑)。どなたか教えていただけませんでしょうか?ここで詰まってしまって回路の勉強も手につかなくて…。よろしくお願いいたします。

みんなの回答

  • ymmasayan
  • ベストアンサー率30% (2593/8599)
回答No.1

おっしゃる通り、順方向電圧を掛けた時は電流が流れてコンデンサーにはなりません。逆方向電圧を掛けると、電流が流れず、PN接合面がコンデンサーになります。 但し、逆方向電圧の大きさによって空乏層の厚みが変わりますので、キャパシタンスが変化します。これを応用したのが、バリキャップ(可変容量ダイオード)です。バリキャップには当然極性があります。

micro_neo
質問者

お礼

お返事ありがとうございます。なんとなくはわかるのですが(認めざるをえない?)、順バイアスをかけたとしても接合付近ではドーピングされた原子の電荷があるので、その影響はどうなのでしょうか?0.6V以上の順バイアスを与えると、空乏層の電界に打ち勝つほどのエネルギーを得ることができるから電流は流れる、という解釈でいいのでしょうか?バンド図で説明しているのがほとんどですが、空乏層自体の幅は変わらず、PN双方の伝導体が近づいて電子が障壁を乗り越える…と説明がありますが、空乏層があること自体変わりは無いと…。コンデンサとかいてあっても、純粋なコンデンサでは無いということで間違ってないでしょうか…。長々とすみません…。

関連するQ&A

  • pn接合の整流性について

    pn接合には整流性があると言われています。もし仮に真性半導体(i型)とn型半導体を接続してもpn接合同様整流性はあるのでしょうか。自分でエネルギーバンド図を書いて、順方向にバイアスをかけたり、逆方向にバイアスをかけてみたりして考えたのですが、自信の持てる結論が思いつきません。ぜひ、お力をお貸ししていただけないでしょうか。

  • PN接合で

    回路素子を独学で勉強しているんですが、わからないとこがあります。電界が発生するのはどうしてでしょうか?その電界の働きはどういったものなんでしょうか?またPN接合ダイオードの回路での使い方と電界との関係がわかりません。教えてください。

  • なぜpn接合に逆バイアスをかけても電流は流れない?

    なぜpn接合に逆バイアスを印加しても電流は流れないのでしょうか? まず私が理解しているpn接合の流れを書きます。 ・ドナー不純物をドープされているn型半導体(キャリアとして動ける電子が多数存在) ・アクセプタ不純物をドープされているp型半導体(キャリアとして動ける正孔が多数存在) 両者を接合させると (1)濃度勾配により、n→p向きに電子が、n←p向きに正孔が拡散していく。 (2)接合面近傍では電子と正孔の結合によりキャリアは消滅。空乏層ができていく。 (3)そして接合面近傍では、n型半導体がプラスに、p型半導体がマイナスに帯電していく。 (4)それによってできた電位差によって、拡散方向とは逆向きの力を受けて電子と正孔の移動は停止する。 ここに順バイアス(n側にマイナス、p側にプラス)をかけると、 n側で多数キャリアである電子は接合を横切ってp側へ移動していき、回路へと流出していく。 そしてその分、電子が回路からn型半導体に流入し、これが続くため、電流が流れる。 このようなストーリーだと理解しています。 しかし私が思うに、逆バイアス(n側にプラス、p側にマイナス)をかけたとしても、 n側で多数キャリアである電子はそのまま回路へ流出していく。 そしてその分、電子が回路からp型半導体に流入し、接合を横切ってn側へ移動していき、そのままやはり回路から流出する。 という事が起こるのではないでしょうか? よく参考書等に書かれているのは、 (1)p型半導体はキャリアとしての電子が少ないので、n側へ流入してくる電子がない。このため電流は流れない。 (2)逆バイアスによってキャリアが両端に引き寄せられ、空乏層が広がるだけで電流は流れない。 と言った内容です。 しかし、私の疑問として (1)p型半導体には確かにキャリア電子が少ないが、電子は回路から流入してくるから、それが流れるのではないか? (2)意味は分かります。例えばp側に注目すると、正孔が電極側に集まっていきます。  つまり価電子帯に充満している電子が少しずつ接合面に向けて移動しているということだと思います。  しかし価電子帯の電子は自由に動けるキャリアではないので、そのままn側へ移動していって回路へと流出するわけではありません。  しかし、この(2)の説明でも、(1)の疑問を解決できているとは思えません。 以上、長くなりましたが要約しますと、 逆バイアス時になぜ回路からp型半導体にキャリア電子が流入しないのか? ということです。 どなたか、よろしくお願いします。

  • 空乏層について

    半導体のpn接合によってその界面に空乏層が出来ますよね?これは拡散電流とドリフト電流のつりあいによって形成される状態であると理解しています。この前ある人から、pn接合に順バイアスをかけた場合、空乏層はどうなるの?と聞かれ、バイアスをかけた状態では非平衡状態であるから、空乏層は定義できない。と答えました。しかし、順バイアス時には、拡散電流>ドリフト電流となるので、空乏層は増加するのでしょうか?乱文ですが、よろしくお願いします。またこのことを説明している本やサイトがありましたら、ご紹介ください。

  • PN接合のエネルギー

    とある本のPN接合の説明で Sの字を反転させたような形の図で電子とホールのエネルギーの説明が 書いてあったのですが、 P型半導体の電子がN型半導体の電子の数より少ないにもかかわらず、 N型半導体の方がP型半導体よりもエネルギーが低いと書いてありました 電子が多いほうがエネルギーが多いと思うのですが違うのでしょうか

  • pn接合の接合方法について

    pn接合の接合方法について教えてください。 最近半導体を扱うことがあり、素人のため疑問に思ったため質問します。 pn接合はイオン注入などで濃度差をつけるという他の方の質問は確認したのですが、 単純に接触させた状態(厳密には粗さで隙間がある)でも 整流作用は起こるようなものなのでしょうか。 もっといえば多少の微少隙間がある場合(数nm~μm?)でも 整流作用は起こるのでしょうか。 無知な質問で申し訳ありませんが、回答お願いいたします。

  • pn接合ダイオード

    pn接合ダイオード pn接合素子に順方向電圧をかけると電子と正孔の再結合が起こると思いますが,それが非発光か発光かは半導体の欠陥などによって決まるのでしょうか?いま,発光ダイオードについて調べていたのですが,ふつうのダイオードも発光ダイオードの構造も変わらないような気がします.それならダイオードも発光してることになるのではと思いました. 発光ダイオードは光を取り出せるようにしてあるということでしょうか?また,調べていると発光はpn接合面で起こると書かれているのですが,実際はp型中でもn型中でもおこるように思います.どうでしょうか?(金属銅線中ではさすがにおこらない?)

  • pn接合 静電化学ポテンシャル理論の限界は?

    半導体のpn接合時における、バンドギャップモデルについての質問です。 半導体デバイス中のキャリアの移動は、ドリフト電流と拡散電流のつりあい、つまり静電ポテンシャルと化学ポテンシャルの平衡で説明されています。 このモデルの限界(つまり現実のpn接合の際の電流・電圧値と食い違う点)には一体何があるでしょうか? 教科書をよくよく見ると、熱平衡状態ならば、という但し書きがあるので熱的に非平衡な状態ならば通用しない、というのは分かるのですが・・・。 高電圧をかけた時にもバンドギャップモデルが適用できるのでしょうか、また、その他の適用できない状況はどのようなものがあるのでしょうか? どなたか教えてくださると助かります。

  • 不純物半導体のpn接合について

    物性工学を勉強する大学初年度の者です。 不純物半導体のpn接合についてなのですが、 n型半導体に添加する不純物密度を増やすと、拡散電位が増加するのは、イオン化されたドナーも増加するため、空乏層が広くなるからでしょうか? また、 n型半導体の不純物密度がp型半導体の10倍であったとき、空乏層は主にn型よりに形成され、このときのn型側、p型側の空乏層幅の比は n : p = 1 : 10 となるのであっていますでしょうか? 怪しい部分がありましたら、ご指摘ご教授して頂けると嬉しいです。 よろしくお願いしますm(_ _)m

  • pn接合容量Cが空乏層幅Wを用いるとC=半導体の誘導率/Wであることを

    pn接合容量Cが空乏層幅Wを用いるとC=半導体の誘導率/Wであることを示せという問題があります。 とき方が解りません。どなたかアドバイスをお願いします。