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高周波増幅器の雑音指数とナイキストの定理

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お礼率 69% (86/123)

増幅器の雑音指数(NF, noise figure)についてなのですが、
熱雑音を与えるナイキストの定理では、δV^2∝Tで温度に比例
しますし、ショットノイズは、温度に無関係です。
ですから、室温付近では増幅器の雑音は、温度によらずほぼ
一定のような気がします。

しかし、実際には、室温付近で、数十度程度温度を変えた
だけで、かなり(~1dB程度)、雑音指数が変化します。
さらに、素子によっては、温度を上げた方がNFが小さかったりします。
これはどういうことなのでしょうか。

P.S.
もし、数十度下げてNFが改善するならば、今使っている測定用プリアンプに
CPU用のペルチェ素子をかましてみようかと思っているところです。
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レベル13

ベストアンサー率 64% (700/1089)

こういう話はあんまり自信がないですが,
抵抗がRのとき,ナイキストの式はδV^2∝RT ですね.

普通の導体では,温度が0℃から 100℃になると R は 1.5倍位になります.
それで説明可能でしょうか?

また,半導体では温度が上がると R は減少します.
温度を上げた方がNFが小さかったりするのは,半導体素子でしょうか?

今のところ,これくらいしか思いつきません.

温度を下げて熱雑音を押さえるというのはかなりポピュラーな方法のようです.
お礼コメント
spinflip

お礼率 69% (86/123)

ありがとうございます。素子としては、半導体の増幅素子です。
確かに、Rが下がりますね。助かりました。
(BCSの方でもお世話になりました。計算を自分でフォロー出来て
から、お礼に伺おうと思います)。
投稿日時 - 2001-09-03 14:02:22
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