• ベストアンサー

トランジスタについて

ikkyu3の回答

  • ikkyu3
  • ベストアンサー率43% (535/1229)
回答No.2

初歩的でなく、基本的でしょうか。以下のような切り口で良いでしょうか。 FETは、電圧によって電流を制御する増幅素子、バイポーラは、電流増幅素子ですね。不純物半導体であると言ううだけが共通点でしょう。 FETのバイポーラーとの違い:入力抵抗が高い。漏洩電流が非常に小さい。雑音特性がよい。増幅器に使用したとき混変調歪みが小さい。駆動能力が低い。V-I特性が直線性に近い。 バイポーラ:一般的トランジスタである。入力抵抗が低い。動作速度が比較的速い。 使い分け例--- バイポーラ:一般的アナログ回路。パワートランジスタ。 接合型FET:アナログ-オーディオ...雑音が小さい MOS型FET:デジタルIC、マイコン,LSI GaAs型FET:マイクロ波

関連するQ&A

  • トランジスタと、電界効果トランジスタ(FET)の違い

    いわゆる一般的なトランジスタと、電界効果トランジスタ(FET)の違いについてできるだけ分かりやすく教えてください。またどのような場合によって使い分けるのでしょうか?例えば許容範囲さえ超えなければ、どちらでも増幅のために用いても構わないのでしょうか?よろしくお願いします。

  • 【バイポーラトランジスタとFET】

    【バイポーラトランジスタとFET】 1.バイポーラトランジスタとFETに流れる電流の温度依存性とは? 2.多数のトランジスタを並列接続して使用する場合の回路全体の安定性とは? この二つの議論が調べても分からなくて困っています。。。 詳しい方ご教授お願いいたします。

  • トランジスタについて

    電界効果トランジスタは、接合トランジスタとくらべて大電流を取り扱うのが通常困難なのはなぜなんでしょうか?また、この困難さを克服する構造をもつ電界効果トランジスタはどんなものがあるのでしょうか?教えてください。

  • 電界効果トランジスタ

    電界効果トランジスタ(FET)は高入力インピーダンスであり、心電計などの増幅器によく用いられているのは何故でしょうか? 皮膚抵抗による電圧降下を少なくするためだと思ったのですが、自信がないのでアドバイスよろしくお願いします。

  • 電界効果トランジスタ(FET)

    電界効果トランジスタ(FET)で、トップコンタクト型とボトムコンタクト型がありますが、両者には構造以外にどのような違いがあるのでしょうか?

  • トランジスタに関していくつか質問させて下さい

    1. 普通のトランジスタでは、エミッタ、ベース、コレクタと呼ぶのに対してFETではドレイン、ソース、ゲートという呼び方をします。機能は同じなのになぜあえて違う言い方をするのでしょうか? 2. FETではゲートの他にバックゲートというものを使う場合もありますが、これを使うメリットは何なのでしょうか?バックゲートの使い分けについて教えて下さい。 3. 上記に似たものとしてデュアルゲートFETというものもありますが、これのメリットは単に流せる電流量が2倍なだけなのでしょうか?ドーピングの量を増やすとかならまだしも単にゲートに電極を2つつけただけで流せる電流量が増えるのは納得がいきません。どういうことなのでしょうか? よろしくお願いいたします。

  • CPUの中の論理回路素子について

    論理回路素子には 1.電磁リレー 2.ダイオード 3.バイポーラトランジスタとTTL 4.電界効果トランジスタ(MOS FET) があるそうなんですが、 最近のCPUは、どんな論理回路素子をどれくらい使用しているのでしょうか^-^? 1と2は半導体じゃないので論外ですか^-^? コンピュータの動作原理を勉強しているところなんです。よろしくお願いします。

  • MOS型電界効果トランジスタ

    MOS型電界効果トランジスタをパワートランジスタまたは、トランジスタで置き換えたいのですが、その方法を教えてください。できれば回路図も知りたいので、そういうページなども教えてもらいたいです。ほとんど何も分かってないので分かりやすく教えてもらえれば幸いです。

  • 有機電界効果トランジスタ

    有機電界効果トランジスタについて質問させて頂きます。 有機電界効果トランジスタにおいて、移動度はゲート電圧に依存してしまい、無機では依存しないとのことですが、どういう原理なのでしょうか??よろしくお願い致します。

  • トランジスタの問題

    正しいものを選んでください 1)ベース接地のトランジスタは入カインピーダンスが低い。 2)トランジスタはベース接地で使用しなければならない。 3)接合型電界効果トランジスタは電圧制御型の素子で、ゲート電圧により空乏層の広がりを調節 する。 4)モノポーラトランジスタは電力消費が小さく、増幅率の温度特性が安定している 5)MOS型FET は、入カインピーダンスが高く静電気に強いので、集積回路 (IC)に よく使われる。 6)トランジスタを利用した増幅回路の最大出力は電源に依存する 私の解答は1.5です。 合っているでしょうか?