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Ｘ線
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光電子の脱出深さは、原子固有のものといっていいと思います。 脱出深さは、光電子のもつエネルギー（運動エネルギー）によってかわります。 発生した光電子のエネルギーが高いと周辺の電子との相互作用が少なくなりエネルギー損失は起こりにくいため脱出深さは長くなります。また発生した光電子のエネルギーが小さくなると周囲の電子を励起する確率が小さくなるためこの場合もエネルギー損失が小さくなり、脱出深さも大きくなります。光電子のエネルギーが周辺の電子を励起するのに十分なエネルギーをもちさらにエネルギーのやりとりをするのに十分遅い速度であるときはエネルギー損失が大きくなり脱出深さが小さくなり、この時のエネルギーは50～100eVぐらいです。（多くの物質でこのことがあてはまります） 表面分析に関する本や参考書、論文などではたいてい書かれていますので、本屋で探してみてはいかがですか？ gods-twilightさんは、XPSを専門にやられてるんですよね？以下のURLではわかりやすくスライド（OHP)を使って説明しています。私のオススメですので。
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