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Be-GaAs/AlAs MQW のホール効果測定について

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私は現在大学の研究室において、化合物半導体のホール効果測定を行っています。
私が扱っている試料は、Beを一様ドープしたGaAs層を井戸層として用いたMQWの
試料です。この薄膜はGaAs層7000Å、AlAs層7000Åの試料です。
ここでキャリア密度を求める際に、伝導層がGaAs層であるために膜厚の値をGaAs層のみの7000Åとして計算しているのですが、一様ドープしているわけですからやはり14000Åで計算するべきなのではと最近思うのですが、一般的にMQWの試料のキャリア密度を求める場合、膜厚はどの値を使えばキャリア密度としての値が求まるのか最近よくわからなくなっています。実際にやられている方の意見がおききしたいです。よろしくおねがいします。
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私も去年 GaAs/AlGaAs150周期のSiドープ のサンプルを計ったのですが、 Beのドープ特性を知らないので外してるかも知れませんが Siの場合 同じ濃度でSiをドープしても、GaAs側の方が多く キャリアができ、AlGaAsの方が少ない電子濃度 になるそうです。 で今回の質問なのですが、おそらくキャリアはすべて AlAs層より、GaAs層にすべて落ち込んでいるはず ですから ...続きを読む
私も去年 GaAs/AlGaAs150周期のSiドープ
のサンプルを計ったのですが、
Beのドープ特性を知らないので外してるかも知れませんが
Siの場合
同じ濃度でSiをドープしても、GaAs側の方が多く
キャリアができ、AlGaAsの方が少ない電子濃度
になるそうです。

で今回の質問なのですが、おそらくキャリアはすべて
AlAs層より、GaAs層にすべて落ち込んでいるはず
ですから、ホール測定での計算に使う厚さは7000Aの
ままでいいと思います。

遅い返事ですが、役たちますか?

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